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K375-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景, 门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性,阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为2200m?,提供可靠的导通特性,漏极电流为2A,适用于低功率需求,采用SJ_Deep-Trench技术,具有优异的性能和可靠性, 封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: K375-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K375-VB

K375-VB概述

    N-Channel 650 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本文介绍的是VBsemi公司生产的N-Channel 650 V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET是一种单极型开关器件,主要用于电源转换、电机驱动和功率控制等领域。它的主要特点是低门极电荷、增强的栅极耐受性及雪崩耐受性,使其成为高性能、高可靠性应用的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是该MOSFET的关键技术参数:
    - 漏源电压(VDS): 650V
    - 门源阈值电压(VGS(th)): 2.0 - 4.0 V
    - 最大门源电压(VGS): ±30V
    - 持续漏电流(ID): 1.6 A @ 25°C, 8.0 A @ 100°C
    - 最大门极电荷(Qg): 15 nC
    - 最大雪崩能量(EAS): 165 mJ
    - 门源电荷(Qgs): 3 nC
    - 门源电容(Ciss): 330 pF
    - 有效输出电容(Coss eff.): 84 pF
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 热阻抗(RthJA, RthJC): 65 °C/W, 2.1 °C/W
    - 重复脉冲雪崩电流(IAR): 2 A
    - 重复脉冲雪崩能量(EAR): 2 mJ

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷:简化驱动要求,降低功耗。
    - 增强的栅极耐受性:提升可靠性和稳定性。
    - 完全指定的电容和雪崩电压电流:确保性能一致性和可预测性。
    - 符合RoHS标准:满足环保要求,减少环境污染。

    4. 应用案例和使用建议


    这款MOSFET广泛应用于各种电力转换电路,如DC-DC转换器、电源逆变器和电机驱动器。它具有较强的电流处理能力和良好的耐热性,适用于恶劣的工作环境。使用时需要注意以下几点:
    - 驱动电路设计:确保门极驱动电压在推荐范围内,避免过压导致损坏。
    - 散热管理:由于较高的热阻,需采取有效的散热措施,如使用散热片或风扇。
    - 保护电路:为防止过载和瞬态电流冲击,建议在电路中加入适当的保护电路。

    5. 兼容性和支持


    该MOSFET兼容大多数标准的驱动器和保护电路。VBsemi公司提供了详尽的技术支持和售后服务,包括产品文档、应用指南和技术咨询。此外,还提供了一系列参考设计和开发工具,方便客户快速集成到现有系统中。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:门极驱动不稳定。
    - 解决方案:检查驱动信号波形是否正确,确保门极驱动电压稳定且符合推荐值。

    - 问题2:发热严重。
    - 解决方案:检查散热措施是否到位,增加散热片或风扇以提高散热效率。

    - 问题3:雪崩电流过大。
    - 解决方案:增加保护电路,如钳位二极管或保险丝,限制雪崩电流。

    7. 总结和推荐


    综上所述,VBsemi的N-Channel 650 V MOSFET是一款高性能、高可靠性的产品。其独特的低门极电荷和增强的耐受性使其在众多应用场景中表现出色。对于需要高效、稳定电力转换的应用场合,这款MOSFET是一个理想的选择。强烈推荐在您的设计中采用这款产品。

K375-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 2A
Rds(On)-漏源导通电阻 4300mΩ@10V,3440mΩ@4.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K375-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K375-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K375-VB K375-VB数据手册

K375-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
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