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UTT120P06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-90A,RDS(ON),8.2mΩ@10V,9.9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: UTT120P06-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT120P06-VB

UTT120P06-VB概述

    # P-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    P-Channel 60V MOSFET(型号 UTT120P06)是一款高性能的沟槽式场效应晶体管(TrenchFET® Power MOSFET)。它符合RoHS标准,广泛应用于各种电源管理和控制电路中。这款MOSFET主要作为直流/直流转换器的初级开关使用。
    应用领域
    - 直流/直流转换器的初级开关
    - 其他需要高可靠性、低损耗和高性能的应用场合

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 | -60 | V |
    | 最大栅源电压 | ±20 | V |
    | 持续漏电流(TJ = 175°C) | -90 | A |
    | 脉冲漏电流 | -200 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | -65 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | 211 | mJ |
    | 功率耗散(TC = 25°C) | 250 | W |
    | 热阻抗(结到空气) | 62 | °C/W |
    | 热阻抗(结到外壳) | 0.6 | °C/W |
    | 静态漏源击穿电压 | -60 | V |
    | 栅阈值电压 | -1 to -3 | V |
    | 栅漏泄漏电流 | ±100 | nA |
    | 零栅电压漏电流 | -1 | A |
    | 开启状态漏电流(TJ = 175°C) | -250 | µA |
    | 开启状态漏源电阻(VGS = -10 V) | 0.0074 | Ω |
    | 导通电阻(VGS = -4.5 V) | 0.0094 | Ω |
    | 转移电容 | 9200 | pF |
    | 输出电容 | 975 | pF |
    | 反向传输电容 | 760 | pF |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 高性能TrenchFET技术:提供更低的导通电阻和更快的开关速度。
    - 符合RoHS标准:环保无铅,符合欧盟环保要求。
    - 高温运行能力:最大工作温度达到175°C,适用于严苛的工业环境。
    优势
    - 低导通电阻:不同工作条件下,导通电阻表现出色,确保高效能。
    - 高可靠性:设计用于长期稳定运行,符合严格的可靠性测试。
    - 适应性强:能够在多种电压和电流条件下稳定工作,适用范围广。

    应用案例和使用建议


    实际使用场景
    该产品适用于高压直流/直流转换器中,例如电源供应器、马达驱动器等。在这些应用中,其高可靠性、低导通电阻和快速响应特性能够显著提高系统效率。
    使用建议
    - 散热管理:由于工作时功率耗散较大,建议采取良好的散热措施,以确保长时间稳定运行。
    - 电路设计优化:在选择配套元件时,注意其额定值和电气特性,以避免过压或过流现象。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与主流电路板和模块兼容,适用于大多数电源管理电路。
    - 需要匹配的栅极驱动器,以确保正确的信号传递。
    支持
    - 厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的使用手册和技术文档。
    - 客户可以联系厂商的服务热线获取更多帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:开启状态下的漏电流过大。
    - 解决方案:检查接线是否有短路,确认是否超出了工作电压和电流范围。

    2. 问题:工作时温度过高。
    - 解决方案:加强散热设计,增加散热片或者使用散热器。

    3. 问题:启动时响应慢。
    - 解决方案:检查栅极驱动电路,确保信号的正确传输。

    总结和推荐


    综合评估
    P-Channel 60V MOSFET(型号 UTT120P06)具有出色的性能和稳定性,非常适合在高压、高温环境下工作的直流/直流转换器及其他电力管理应用。它的低导通电阻和高可靠性使其在市场上具有很强的竞争力。
    推荐使用
    鉴于其卓越的性能和广泛的适用性,强烈推荐该产品用于对可靠性要求较高的电力管理项目。

UTT120P06-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 8.2mΩ@10V,9.9mΩ@4.5V
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 90A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个P沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UTT120P06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT120P06-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT120P06-VB UTT120P06-VB数据手册

UTT120P06-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.247
100+ ¥ 4.8584
500+ ¥ 4.4697
1000+ ¥ 4.2753
库存: 400000
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