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WFY3N02-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
供应商型号: 14M-WFY3N02-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFY3N02-VB

WFY3N02-VB概述

    N-Channel 20V MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 20V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一款高性能的功率开关器件,适用于直流-直流转换器和便携式设备中的负载开关。它具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点,广泛应用于电源管理和控制电路中。

    技术参数


    以下是该N-Channel 20V MOSFET的主要技术规格和性能参数:
    - 最大电压:VDS = 20V
    - 最大连续漏极电流:ID = 6A (TC = 25°C),随温度升高逐渐减小
    - 最大脉冲漏极电流:IDM = 20A
    - 最大源极-漏极二极管电流:IS = 1.75A (TC = 25°C)
    - 最大功耗:PD = 2.1W (TC = 25°C),随温度升高逐渐减小
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55°C to 150°C
    - 热阻:RthJA = 80°C/W (典型值)
    - 栅源阈值电压:VGS(th) = 0.45V 至 1.0V
    - 栅漏电:IGSS = ±100nA
    - 零栅压漏电流:IDSS < 1μA
    - 导通电阻:RDS(on) = 0.028Ω (VGS = 4.5V), 0.042Ω (VGS = 2.5V), 0.050Ω (VGS = 1.8V)
    - 门极电荷:Qg = 8.8nC (VGS = 4.5V)

    产品特点和优势


    1. 无卤素材料:符合IEC 61249-2-21标准。
    2. 高可靠性测试:100% Rg测试确保产品质量。
    3. RoHS合规:符合RoHS Directive 2002/95/EC规定。
    4. 超低导通电阻:提供优异的功率效率。
    5. 快速开关性能:适用于高频开关应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 直流-直流转换器:利用其高效率和快速响应时间,用于电源转换。
    - 负载开关:在便携式设备中作为高效的开关器件。
    使用建议:
    - 确保栅极电压稳定,避免过高或过低导致器件损坏。
    - 在高温环境下工作时,需注意散热以保持性能稳定。

    兼容性和支持


    该N-Channel 20V MOSFET与市场上常见的PCB布局和封装兼容。制造商提供详尽的技术支持,包括设计指导和售后服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅极电压不稳定。
    - 解决方案:增加外部稳压电路以确保栅极电压的稳定性。
    2. 问题:温度过高导致性能下降。
    - 解决方案:在设计时考虑散热措施,如添加散热片或改进散热结构。

    总结和推荐


    总体而言,这款N-Channel 20V MOSFET凭借其出色的导通电阻、快速开关速度和可靠性,在多种应用中表现出色。它适用于需要高效率和高可靠性的电源管理电路。强烈推荐在设计和制造中使用此款MOSFET。

WFY3N02-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 8V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
配置 -
Id-连续漏极电流 6A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

WFY3N02-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFY3N02-VB数据手册

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WFY3N02-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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50+ ¥ 0.3174
150+ ¥ 0.2833
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3000+ ¥ 0.2043
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