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UT5003ZG-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: UT5003ZG-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT5003ZG-S08-R-VB

UT5003ZG-S08-R-VB概述

    Dual N-Channel 30 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    Dual N-Channel 30 V MOSFET 是一款双沟道N沟道MOSFET晶体管,采用TrenchFET™工艺制造,具备高可靠性和低导通电阻的特点。该产品主要用于笔记本电脑系统的电源管理和低电流直流转换。凭借其出色的电气特性和紧凑的封装设计,它在多种电子设备中具有广泛的应用前景。

    2. 技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压(VDS):30 V
    - 最大栅源电压(VGS):± 20 V
    - 静态漏源击穿电压(VDS):30 V
    - 电流参数:
    - 漏极连续电流(ID):最高 8.5 A (TC = 25 °C)
    - 单脉冲雪崩电流(IAS):10 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):5 J
    - 功率参数:
    - 最大功率耗散(PD):3.1 W (TC = 25 °C)
    - 温度参数:
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 结温范围:-55°C 至 150°C
    - 热阻参数:
    - 最大结到环境热阻(RthJA):52 °C/W
    - 其他参数:
    - 门电容(Ciss):660 pF (VDS = 15 V, VGS = 0 V, ID = 8 A)
    - 输出电容(Coss):140 pF (VDS = 15 V, VGS = 0 V, ID = 8 A)
    - 门极充电量(Qg):14.5 nC (VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 8 A)

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET™工艺:采用先进的TrenchFET工艺,实现低导通电阻和高可靠性。
    - 高精度测试:100%栅极电阻和雪崩测试,确保产品的一致性和可靠性。
    - RoHS合规:符合欧盟RoHS指令2002/95/EC,环保且安全。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 笔记本电脑系统电源管理
    - 低电流DC/DC转换
    - 使用建议:
    - 在选择合适的栅极驱动电阻时,应考虑门电荷参数以确保快速开关。
    - 考虑散热设计,以避免因过热导致的产品失效。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 与标准SO-8封装的引脚兼容,易于安装和更换。
    - 厂商支持:
    - 提供详细的规格书和技术文档,以便用户进行深入理解和应用。
    - 客户可以联系VBsemi的技术支持团队获取进一步帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定合适的栅极驱动电阻?
    - 解决方案:参考Qg和Rg参数,选择适当的栅极电阻以达到预期的开关速度。
    - 问题2:如何优化散热设计?
    - 解决方案:根据RthJA参数计算热阻,增加散热片或外部冷却设备,确保产品在额定工作温度范围内运行。

    7. 总结和推荐


    Dual N-Channel 30 V MOSFET 具备出色的电气性能和高度的可靠性,非常适合用于笔记本电脑系统的电源管理和低电流直流转换。通过合理的应用和设计,用户可以获得最佳的使用效果。强烈推荐在需要高性能、高可靠性的应用中选用该产品。

UT5003ZG-S08-R-VB参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Id-连续漏极电流 8.5A
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@10V,12mΩ@4.5V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT5003ZG-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT5003ZG-S08-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT5003ZG-S08-R-VB UT5003ZG-S08-R-VB数据手册

UT5003ZG-S08-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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