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K2135-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,30A,RDS(ON),110mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~3Vth(V) 封装:TO220适用于各种电源管理和功率控制应用。其高额定漏极-源极电压、低阈值电压和高导通电流使其在多种场合下都表现出色。
供应商型号: K2135-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2135-VB

K2135-VB概述

    K2135-VB N-Channel 200V MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    K2135-VB 是一款由VBsemi推出的高性能 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要适用于开关电源和其他电力转换应用。此产品采用了先进的TrenchFET® 技术,具备出色的开关特性和高可靠性。

    2. 技术参数


    - 工作电压:最大漏源电压 VDS 为 200V。
    - 电流:连续漏极电流 (TC) 为 25°C 时可达 125A,脉冲漏极电流 (IDM) 为 70A。
    - 栅极阈值电压:VGS(th) 为 1V。
    - 导通电阻:在 VGS = 10V 下,漏源导通电阻 (RDS(on)) 为 0.120Ω(在 TJ = 25°C)和 0.130Ω(在 TJ = 175°C)。
    - 容值:输入电容 Ciss 在 VDS = 25V 下为 1800pF。
    - 工作温度范围:存储温度范围 Tstg 为 -55°C 至 +175°C,最高工作温度 TJ 为 175°C。
    - 绝对最大额定值:在 25°C 时的最大功率耗散 (PD) 为 126W。

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:耐高温设计,可承受高达 175°C 的结温,确保在恶劣环境下稳定运行。
    - PWM优化:特别适合用于脉宽调制 (PWM) 控制,提供更高效的能量转换。
    - 100% Rg测试:所有产品都经过栅极电阻 (Rg) 测试,确保质量控制。
    - RoHS合规:符合欧盟的RoHS指令,环保且安全。

    4. 应用案例和使用建议


    K2135-VB 主要应用于开关电源的初级侧开关电路中。在设计开关电源时,需注意选择合适的散热措施,确保器件在高功率下的散热需求。例如,在大功率应用中,可以考虑使用散热片或者水冷系统来提高散热效率。

    5. 兼容性和支持


    K2135-VB 可以方便地与其他标准N-Channel MOSFET一起使用,并且符合大多数电路板布局的要求。厂商提供详尽的技术文档和客户支持,帮助客户快速解决问题并优化设计。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何判断是否过热?
    解答:可以通过检测器件表面温度来判断是否过热,如果超过推荐的最高工作温度(175°C),则需要增加散热措施。

    - 问题:如何避免栅极损坏?
    解答:确保 VGS 不超过 20V,避免超出绝对最大额定值。

    7. 总结和推荐


    K2135-VB N-Channel MOSFET 以其出色的性能、高效能和高可靠性脱颖而出,非常适合用于要求严格的开关电源和其他电力转换应用。总体来说,这是一款值得推荐的产品。对于需要高效能和高可靠性的工程师和制造商来说,K2135-VB 是一个非常不错的选择。

K2135-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@10V,125mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 30A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~3V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2135-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2135-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2135-VB K2135-VB数据手册

K2135-VB封装设计

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