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K4A55DAA4-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K4A55DAA4-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4A55DAA4-VB

K4A55DAA4-VB概述

    # K4A55DAA4-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K4A55DAA4-VB 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,专为高效开关应用设计。该器件具有低栅极电荷(Qg)的特点,显著简化了驱动要求,同时具备卓越的栅极、雪崩耐受性和动态 dV/dt 耐受性。产品经过全面表征,包括电容特性和雪崩电压电流的测试。K4A55DAA4-VB 符合 RoHS 指令 2002/95/EC,是一款环保且可靠的选择,适用于多种高压电力转换及电机控制等领域。
    主要功能与应用领域
    - 主要功能:高击穿电压(VDS)、低导通电阻(RDS(on))、优异的开关性能和雪崩耐久性。
    - 应用领域:
    - 高压电源开关
    - 工业电机驱动
    - 太阳能逆变器
    - 绿色能源系统

    技术参数


    以下是 K4A55DAA4-VB 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 击穿电压(VDS) | - | - | 650 | - | V |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) | - | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | - | - | 2.5 | - | Ω |
    | 栅总电荷(Qg) | - | - | 48 | - | nC |
    | 输入电容(Ciss) | - | - | - | 80 | pF |
    | 输出电容(Coss) | - | - | - | 48 | pF |
    | 峰值雪崩能量(EAS) | - | - | 325 | - | mJ |
    | 最大功耗(PD) | - | - | 30 | - | W |
    | 工作温度范围(TJ) | - | -55 | - | 150 | °C |
    注:详细参数请参考 PDF 文件中“绝对最大额定值”、“规格书”及相关图表。

    产品特点和优势


    K4A55DAA4-VB 的核心优势包括:
    1. 低栅极电荷:简化驱动电路设计,降低功耗。
    2. 高可靠性:出色的雪崩耐受性和动态 dV/dt 耐受性,适用于严苛的工作环境。
    3. 全面表征:精准的电容和电压测试数据,确保产品性能稳定。
    4. 环保认证:符合 RoHS 和无卤标准,绿色环保。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    K4A55DAA4-VB 在以下应用场景中表现出色:
    - 用于太阳能逆变器中的高压直流母线开关;
    - 在工业电机驱动中作为高效桥式电路中的开关元件;
    - 配合快速恢复二极管使用以提高整体系统效率。
    使用建议
    1. 在高频开关电路中,建议选用低栅极电荷和输出电容的产品以减少开关损耗;
    2. 雪崩耐受性在极端过压情况下保护器件,需注意设计缓冲电路;
    3. 通过优化 PCB 设计减少寄生电感,提升整体性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:K4A55DAA4-VB 可与其他标准 TO-220 封装的器件互换。
    - 支持服务:厂商提供详尽的技术文档、快速响应的技术支持及售后服务热线(400-655-8788),便于客户解决问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关时温升过高 | 优化散热设计,增加散热片或风扇 |
    | 驱动波形出现异常 | 检查驱动电路的阻抗匹配和信号完整性 |
    | 雪崩失效 | 添加缓冲电路以降低峰值电压应力 |

    总结和推荐


    K4A55DAA4-VB 是一款高性能的功率 MOSFET,其低导通电阻、高雪崩耐受性及低栅极电荷使其成为高压电力转换领域的理想选择。产品的广泛兼容性、全面支持以及绿色环保特性进一步提升了其市场竞争力。强烈推荐在需要高效、可靠的高压开关电路中采用此产品。
    如需更多技术支持或定制化解决方案,欢迎联系服务热线:400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com。

K4A55DAA4-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 4A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4A55DAA4-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4A55DAA4-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4A55DAA4-VB K4A55DAA4-VB数据手册

K4A55DAA4-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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