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K1419-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: K1419-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1419-VB

K1419-VB概述

    # K1419-VB N-Channel 60V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    K1419-VB 是一款高性能 N 沟道 60V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有高效率和良好的热管理能力。此款 MOSFET 主要适用于需要高功率密度和紧凑设计的应用场景,如开关电源、电机驱动、照明系统及汽车电子等领域。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 60 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 45 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 220 | A |
    | 最大功率耗散 | PD | - | 52 | - | W |
    | 最高结温 | TJ, Tstg | -55 | 175 | - | °C |
    额定值
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 导通电阻 | RDS(on) | VGS = 10 V | - | 0.027 | - | Ω |
    | 栅电荷 | Qg | VGS = 10 V | - | 95 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | - | 27 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | - | 46 | - | nC |

    产品特点和优势


    K1419-VB 的显著特点包括:
    1. 高电压隔离:2.5 kVRMS 的高电压隔离能力,适合恶劣环境下的应用。
    2. 低热阻:RthJA = 65°C/W,RthJC = 3.1°C/W,能够有效散发热量。
    3. 动态 dV/dt 评级:支持快速开关操作,适用于高频应用。
    4. RoHS 合规:符合环保标准,无铅封装。

    应用案例和使用建议


    K1419-VB 在多种领域有广泛应用,例如:
    - 开关电源:利用其低导通电阻和快速开关特性,提高转换效率。
    - 电机驱动:通过高电流承载能力和高耐压特性,确保稳定运行。
    - 照明系统:利用其高效能,在LED驱动中实现更长寿命和更高可靠性。
    使用建议:
    - 确保电路板布局减少寄生电感,提升开关速度。
    - 使用热管理措施,如散热片或风扇,以保持结温低于 175°C。

    兼容性和支持


    K1419-VB 支持与其他同类器件和设备的良好兼容性。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括电话咨询(400-655-8788)和在线资源。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中过热 | 加装散热片或增强空气流通。 |
    | 导通电阻偏高 | 检查连接质量,确保 VGS 足够高。 |
    | 栅极振荡 | 添加合适的栅极电阻以抑制振荡。 |

    总结和推荐


    综上所述,K1419-VB N-Channel 60V MOSFET 是一款性能优异、应用广泛的电子元器件。其高电压隔离、低热阻及快速开关能力使其成为现代电力电子系统的理想选择。强烈推荐用于需要高性能和高可靠性的应用场景。

K1419-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 45A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1419-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1419-VB数据手册

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K1419-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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