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K40P04M1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
供应商型号: K40P04M1-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K40P04M1-VB

K40P04M1-VB概述

    N-Channel 4-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 4-V (D-S) MOSFET(场效应晶体管)是一款高性能、低阻抗的场效应晶体管,主要应用于同步整流和电源管理领域。该器件采用TrenchFET®技术,具有优异的电气特性和高可靠性。适用于各种电源转换和控制应用。

    技术参数


    - 电压参数
    - 栅极-源极击穿电压 \( V{DS} \): 40 V @ \( V{GS} = 0 \) V, \( ID = 250 \mu A \)
    - 栅极-源极阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.2 V 至 2.5 V
    - 零栅压漏电流 \( I{DSS} \): 1 μA @ \( V{DS} = 40 \) V, \( V{GS} = 0 \) V
    - 电流参数
    - 持续漏极电流 \( ID \):
    - \( TJ = 175 \) °C时: \( ID = 85 \) A @ \( TC = 25 \) °C, \( ID = 70 \) A @ \( TC = 70 \) °C
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 250 A
    - 源极-漏极二极管电流 \( IS \): 110 A @ \( TC = 25 \) °C
    - 电阻参数
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10 \) V, \( ID = 30 \) A 时为 0.0050 Ω
    - \( V{GS} = 4.5 \) V, \( ID = 20 \) A 时为 0.0065 Ω
    - 电容参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 2380 pF @ \( V{DS} = 20 \) V, \( V{GS} = 0 \) V, \( f = 1 \) MHz
    - 输出电容 \( C{oss} \): 550 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 250 pF
    - 动态参数
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 80 nC 至 120 nC
    - 开关延迟时间 \( td(on) \): 20 ns 至 155 ns
    - 开关上升时间 \( tr \): 11 ns 至 95 ns
    - 开关关闭延迟时间 \( td(off) \): 77 ns 至 270 ns
    - 开关下降时间 \( tf \): 10 ns 至 90 ns

    产品特点和优势


    N-Channel 4-V (D-S) MOSFET 的主要特点包括:
    - TrenchFET®技术:提高开关速度,降低导通损耗。
    - 高可靠性:通过 100% 的 Rg 和 UIS 测试,确保长期稳定运行。
    - 低导通电阻:提供低至 0.0050 Ω 的导通电阻,降低功耗。
    - 宽温度范围:适用于 -55 °C 至 150 °C 的工作温度范围。
    这些特点使其在电源管理和高效能电路设计中具备显著优势,特别是在需要低功耗和高效率的应用场景中。

    应用案例和使用建议


    N-Channel 4-V (D-S) MOSFET 主要应用于以下几个方面:
    - 同步整流:在高效能开关电源中作为同步整流器使用。
    - 电源管理:用于各种电源转换和控制电路中,以实现更高效的能量传输和管理。
    使用建议:
    - 散热设计:由于其较高的电流承载能力,需合理设计散热方案,确保长期稳定运行。
    - 电路布局:优化电路布局,减少寄生电感和电容的影响,提高整体性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准的TO-252封装,易于集成到现有电路中。
    - 支持和服务:VBsemi公司提供详细的技术文档和支持服务,包括在线技术论坛和专业的技术支持团队,帮助客户解决问题并提供最佳的使用体验。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备过热
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,使用适当的散热器或风扇。
    - 问题2: 开关性能不佳
    - 解决方案: 优化电路布局,减少寄生电感和电容的影响。
    - 问题3: 长期运行稳定性差
    - 解决方案: 定期检查设备的工作状态,确保其在正常工作范围内运行。

    总结和推荐


    N-Channel 4-V (D-S) MOSFET 在其同类产品中表现卓越,具备低导通电阻、高可靠性及宽温度范围等优势,适合在高效能电源管理和同步整流等应用中使用。对于寻求高性能且可靠电源管理解决方案的工程师来说,这款器件是一个不错的选择。
    总体而言,我们强烈推荐使用此款N-Channel 4-V (D-S) MOSFET,它将为您的电路设计带来显著的性能提升和可靠性保障。

K40P04M1-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.85V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 85A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,5mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K40P04M1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K40P04M1-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K40P04M1-VB K40P04M1-VB数据手册

K40P04M1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
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