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K2503TL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252\n用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
供应商型号: K2503TL-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2503TL-VB

K2503TL-VB概述


    产品简介


    N-Channel 60 V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能的电源管理器件,主要用于直流到直流转换器、直流到交流逆变器以及电机驱动等应用。本款MOSFET采用先进的TrenchFET®技术制造,能够提供卓越的性能和可靠性。该器件通过了100%的Rg和UIS测试,确保了高可靠性和稳定性。

    技术参数


    静态参数
    - 漏源电压 (VDS): 60 V
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 1.0 ~ 3.0 V
    - 栅体泄漏电流 (IGSS): ±250 nA
    - 零栅压漏极电流 (IDSS):
    - VDS = 60 V, VGS = 0 V: 1 µA
    - VDS = 60 V, VGS = 0 V, TJ = 125 °C: 50 µA
    - VDS = 60 V, VGS = 0 V, TJ = 150 °C: 250 µA
    - 导通状态漏极电流 (ID(on)): 20 A (VDS ≥ 10 V, VGS = 10 V)
    - 导通状态电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 6.6 A: 0.073 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 6 A: 0.085 Ω
    - 前向跨导 (gfs): 25 S (VDS = 15 V, ID = 6.6 A)
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 660 pF (VDS = 30 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 85 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 40 pF
    - 总栅电荷 (Qg): 19.8 ~ 30 nC (VDS = 30 V, VGS = 10 V, ID = 6.6 A)
    - 栅源电荷 (Qgs): 3.6 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 4.1 nC
    - 栅极电阻 (Rg): 0.4 ~ 2 Ω (f = 1 MHz)
    - 开启延迟时间 (td(on)): 8 ~ 16 ns (VDD = 30 V, RL = 9.6 Ω, ID ≈ 5.2 A, VGEN = 10 V, Rg = 1 Ω)
    - 上升时间 (tr): 11 ~ 20 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 18 ~ 27 ns
    - 下降时间 (tf): 5 ~ 10 ns

    产品特点和优势


    - 高效率: TrenchFET®技术使MOSFET具有更低的导通电阻(RDS(on)),从而提高了能效。
    - 高可靠性: 通过100%的Rg和UIS测试,确保了高可靠性和低故障率。
    - 宽工作温度范围: 支持-55 °C至150 °C的温度范围,适用于各种恶劣环境。
    - 快速开关性能: 快速的开启和关断时间,适合高频应用。
    - 紧凑设计: TO-252封装,适合空间受限的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC/DC转换器: 用于电源管理电路中的电压转换,例如在电信设备中。
    - 电机驱动: 在工业自动化设备中作为电机控制电路的核心部件。
    - 逆变器: 用于将直流电转换为交流电,适用于太阳能发电系统。
    使用建议
    - 散热管理: 确保良好的散热设计,避免因过热而导致的性能下降或损坏。
    - 驱动电路设计: 注意选择合适的驱动电阻(Rg),以确保快速可靠的开关。
    - 应用环境: 考虑极端工作温度和电压变化,选择合适的参数进行设计。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 本款MOSFET与其他标准DC/DC转换器、逆变器及电机驱动器兼容,可以轻松集成到现有系统中。
    - 支持: 厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括详细的安装指南和故障排查手册。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 设备过热 | 确保良好散热设计,适当增加散热片或使用散热器。 |
    | 开关频率不稳定 | 调整驱动电阻(Rg)值,确保适当的开关速度。 |
    | 噪声干扰 | 优化布局设计,确保接地和信号线的正确连接,减少噪声耦合。 |

    总结和推荐


    这款N-Channel 60 V (D-S) MOSFET凭借其高效率、高可靠性以及广泛的工作温度范围,适用于多种电力电子应用。特别是其快速的开关性能和紧凑的设计使其在高频应用中表现优异。我们强烈推荐这款产品用于需要高性能和高可靠性的场合。

K2503TL-VB参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@10V,85mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 18A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2503TL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2503TL-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2503TL-VB K2503TL-VB数据手册

K2503TL-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.36
100+ ¥ 1.2593
500+ ¥ 1.2089
2500+ ¥ 1.1586
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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