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KDF100N03P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: KDF100N03P-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KDF100N03P-VB

KDF100N03P-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(沟槽式场效应晶体管)是一款高性能的电子元器件,主要用于开关电源、服务器电源管理、电源控制及直流/交流转换等领域。此款MOSFET采用TrenchFET®技术,具有卓越的导电性能和可靠性。

    技术参数


    以下是该N-Channel 30-V (D-S) MOSFET的技术参数摘要:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175 °C):
    - TC = 25 °C: 120 A
    - TC = 70 °C: 60 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 64.8 V
    - 最大漏极连续二极管电流 \( I{S} \):
    - TC = 25 °C: 90 A
    - 最大功耗 \( PD \):
    - TC = 25 °C: 250 W
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J}, T{STG} \): -55 至 175 °C
    - 热阻:
    - 最大结到环境的热阻 \( R{thJA} \): 32-40 °C/W
    - 最大结到外壳的稳态热阻 \( R{thJC} \): 0.5-0.6 K/W

    产品特点和优势


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET具有以下显著特点和优势:
    - 高可靠性: 经过100%的Rg和UIS测试,确保在各种极端条件下的可靠性。
    - 环境友好: 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令,无铅环保设计。
    - 优异的电气特性: 高耐压能力和低导通电阻,适用于需要高效能输出的应用场合。
    - 广泛的适用温度范围: 能够适应从-55 °C至175 °C的工作温度范围,确保在各种恶劣环境中稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET常用于以下几个应用场景:
    - OR-ing电路: 在冗余电源系统中,用于在主电源失效时迅速切换至备用电源。
    - 服务器电源: 在高负载条件下提供稳定的电力供应。
    - 直流/交流转换: 适用于需要精确调节电压和电流的设备。
    使用建议
    1. 散热管理: 由于该MOSFET在高功率操作下会产生较大热量,因此需要有效的散热措施,如使用散热片或风扇来降低工作温度。
    2. 电路设计: 在使用此MOSFET时,建议根据具体应用场景调整电路参数,确保最佳性能和稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该MOSFET可以轻松集成到现有的电子系统中,无需过多改动。同时,它也与多种主板和电路板标准兼容。
    - 支持: VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括详尽的产品文档和技术咨询。如果在安装和使用过程中遇到任何问题,用户可联系技术支持团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    1. 问题: 漏极电流不稳定。
    - 解决方案: 检查电源电压和电路连接,确保所有连接点接触良好。
    2. 问题: 温度过高导致MOSFET过热。
    - 解决方案: 增加散热装置或调整电路以减少发热。
    3. 问题: 导通电阻增加。
    - 解决方案: 检查栅源电压设置是否正确,适当调整以获得最低的Rds(on)。

    总结和推荐


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET是一款高性能、高可靠性的电子元器件,在多种应用中表现出色。它拥有出色的电气特性和广泛的温度适应性,能够满足高负载应用的需求。结合VBsemi公司提供的全方位技术支持和售后保障,我们强烈推荐此款产品用于需要高效能电力管理和高可靠性的场合。

KDF100N03P-VB参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 120A
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KDF100N03P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KDF100N03P-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KDF100N03P-VB KDF100N03P-VB数据手册

KDF100N03P-VB封装设计

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15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
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