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2SK1299-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: 2SK1299-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK1299-VB

2SK1299-VB概述


    产品简介


    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET(型号:2SK1299)
    这款N-通道MOSFET具有出色的性能和可靠性,广泛应用于开关电源、逆变器和其他电力转换设备。它采用TrenchFET®技术,能够在高频率下工作,适用于脉冲宽度调制(PWM)优化。此外,该器件还符合RoHS标准,确保环保合规性。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | 100 | - | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | - | - | 13 | A |
    | 冲击漏极电流 | IDM | - | - | 40 | A |
    | 源极连续电流(二极管导通) | IS | - | - | 3 | A |
    | 雪崩电流 | IAS | - | - | 3 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 18 | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD | - | - | 96 | W |
    | 热阻(结到环境) | RthJA | 15 | 18 | - | °C/W |
    | 热阻(结到外壳) | RthJC | 0.85 | 1.1 | - | °C/W |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) | - | 0.05 | 0.25 | Ω |

    产品特点和优势


    - 高可靠性:耐受175°C的高温环境。
    - PWM优化:专为脉宽调制设计,适合高频应用。
    - 完全测试:100% Rg测试,确保产品品质。
    - RoHS合规:符合欧盟RoHS标准,环保友好。
    - 高效能:低导通电阻和优异的热性能,保证高效能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该产品广泛应用于以下几个方面:
    - 电源转换:如开关电源、直流变换器等。
    - 逆变器:用于电机控制和其他电力系统。
    - 便携式电子设备:适合于各种手持设备,因其小型化设计。
    使用建议
    - 在高频应用时,需要考虑散热措施以避免过热。
    - 脉冲电流应限制在允许范围内,以免损坏器件。
    - 建议使用适当的驱动电路来保护MOSFET,特别是当应用于高频开关应用时。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准TO-252封装,可以轻松安装在大多数电路板上。
    - 技术支持:制造商提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中能够获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热 | 确保适当的散热措施,如增加散热片或改善空气流通。 |
    | 寿命短 | 确认是否在额定条件下使用,并检查是否有外部因素导致过载。 |
    | 性能下降 | 检查是否有短路或断路情况,并确保驱动电路正确无误。 |

    总结和推荐



    总结


    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET(型号:2SK1299)是一款高性能、可靠的电子元器件,非常适合于高频率电力转换应用。其优异的温度性能和低导通电阻使其成为多种工业应用的理想选择。
    推荐
    强烈推荐使用此产品。它不仅满足了严格的工业要求,还在市场上具备高度竞争力。结合制造商提供的优质技术支持,使用该产品将大大提升系统的整体性能和可靠性。

2SK1299-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 18A
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK1299-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK1299-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK1299-VB 2SK1299-VB数据手册

2SK1299-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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型号 价格(含增值税)
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