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KD2303-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: KD2303-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KD2303-VB

KD2303-VB概述

    P-Channel 30V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本产品为一款P沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于移动计算、负载开关及笔记本适配器开关等领域。其核心特性是采用TrenchFET®技术,这使其具备低导通电阻和高电流处理能力,广泛应用于电源管理和控制电路。

    2. 技术参数


    - 额定电压:VDS = 30V
    - 连续漏极电流:TC=25°C时ID = -5.6A;TC=70°C时ID = -5.1A;TJ=25°C时ID = -5.4A;TJ=70°C时ID = -4.3A
    - 脉冲漏极电流:IDM = -18A(脉宽 ≤ 100µs)
    - 最大功率耗散:TC=25°C时PD = 2.5W;TC=70°C时PD = 1.6W
    - 栅源电压范围:VGS = ±20V
    - 最大结点温度:TJ, Tstg = -55至150°C
    - 热阻抗:RthJA ≤ 100°C/W(最大值);RthJF ≤ 50°C/W(最大值)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在VGS=-10V时,RDS(on)仅为0.046Ω,在多种应用中可以有效降低损耗。
    - 高可靠性:100% Rg测试,确保每个器件均达到标准要求。
    - 集成度高:采用紧凑型封装(TO-236/SOT-23),适用于空间受限的设计。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关:适合用于笔记本电脑等便携式设备中的电源管理,可以有效控制电路中的电流流动。
    - 适配器开关:作为电源适配器的一部分,能够快速响应电流变化,提高能效。
    - DC/DC转换器:在高效率的直流到直流转换器设计中,该MOSFET的快速开关特性有助于提高系统整体效率。
    使用建议:
    - 确保电路设计考虑MOSFET的工作环境温度,避免长时间工作在高温下。
    - 注意热管理,采用散热片或其他散热措施以保持合适的运行温度。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品可与其他同类MOSFET(例如TO-236封装的产品)互换,便于系统升级或替换。
    - 厂商提供详细的文档和技术支持,包括常见问题解答和应用指南。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:器件过热。
    - 解决方案:检查并改善散热条件,如增加散热片或优化PCB布局。
    - 问题二:电流不稳定。
    - 解决方案:确认电路连接正确,尤其是栅极驱动信号的稳定性。
    - 问题三:长期使用后性能下降。
    - 解决方案:定期检查和更换MOSFET,确保系统稳定运行。

    7. 总结和推荐


    总体而言,这款P-Channel 30V MOSFET具有出色的导电性能、高效能和高可靠性,特别适合于移动计算设备和其他需要紧凑而高效的电源管理解决方案的应用场景。强烈推荐使用这款产品以提升系统性能和可靠性。

KD2303-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 5.6A
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KD2303-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KD2303-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KD2303-VB KD2303-VB数据手册

KD2303-VB封装设计

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