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K2158A-T2B-AT-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: K2158A-T2B-AT-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2158A-T2B-AT-VB

K2158A-T2B-AT-VB概述

    N-Channel 60-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    N-Channel 60-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种广泛应用于逻辑接口、驱动器和其他电路中的电子元器件。它具备低阈值电压、低输入电容、快速开关速度等特点,适用于电池驱动系统和固态继电器等多种应用场合。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 60 V
    - 栅极阈值电压(VGS(th)): 1 V 至 2.5 V
    - 漏极-源极导通电阻(RDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V, ID = 200 mA 时为 2.8 Ω
    - 在 VGS = 4.5 V, ID = 150 mA 时为 3.1 Ω
    - 最大漏极电流(ID):
    - 持续电流(TA = 25 °C): 250 mA
    - 脉冲电流(PW ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 2%): 800 mA
    - 功率耗散(PD):
    - 持续功率(TA = 25 °C): 0.30 W
    - 持续功率(TA = 100 °C): 0.13 W
    - 热阻(RthJA): 350 °C/W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    1. 低阈值电压:2 V(典型值),确保器件在较低电压下能有效工作。
    2. 低输入电容:25 pF,减少驱动电流需求,提高响应速度。
    3. 快速开关速度:25 ns,适合高频应用。
    4. 低泄漏电流:确保长时间稳定工作,减少功耗。
    5. 符合环保标准:根据 IEC 61249-2-21 和 RoHS 标准制造,适用于各种应用场合。
    6. 高可靠性:具备1200V ESD保护,增强抗静电能力。

    应用案例和使用建议


    - 直接逻辑级接口:可用于TTL/CMOS等逻辑电路的接口,实现信号转换。
    - 驱动器:适用于驱动继电器、电磁阀、灯泡、锤子、显示器、内存等。
    - 电池驱动系统:适用于需要低功耗的应用场合。
    - 固态继电器:用于控制大电流负载。
    使用建议:
    - 在设计电路时,要确保漏极-源极电压(VDS)不超过额定值,以防止过压损坏。
    - 考虑到漏极-源极导通电阻(RDS(on))的影响,在选择合适的栅极电压(VGS)时要特别注意,以保证最低的导通电阻和功耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET兼容多种电路设计和标准封装(如SOT-23),易于集成到现有系统中。
    - 支持:供应商提供全面的技术支持,包括设计指导和技术咨询,确保用户能够高效地使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何处理过压情况?
    - A: 使用外部限流电阻来限制电流,或者增加过压保护电路,如瞬态抑制二极管(TVS)。
    2. Q: 如何降低功耗?
    - A: 选择较低的漏极-源极电压(VDS)和较小的漏极电流(ID),或者优化电路设计以减少导通时间。
    3. Q: 如何提高开关速度?
    - A: 减小输入电容,增加驱动电路的带宽,或者选择具有更低输入电容的同类产品。

    总结和推荐


    该N-Channel 60-V MOSFET具备低阈值电压、低输入电容、快速开关速度等显著优势,适用于各种高要求的应用场合。通过详细的技术参数和丰富的应用场景说明,可以得出该产品具有较高的市场竞争力和广泛应用前景。因此,强烈推荐在相关项目中使用该产品,以实现高效、可靠的电路设计。

K2158A-T2B-AT-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 300mA
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2158A-T2B-AT-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2158A-T2B-AT-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2158A-T2B-AT-VB K2158A-T2B-AT-VB数据手册

K2158A-T2B-AT-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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300+ ¥ 0.1801
500+ ¥ 0.1729
3000+ ¥ 0.1657
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型号 价格(含增值税)
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