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T12N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: T12N60-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) T12N60-VB

T12N60-VB概述


    产品简介


    产品概述
    本手册介绍的是VBsemi公司的4VQFS+VODUJPO Power MOSFET,型号为T12N60。这是一款N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有极低的导通电阻和门极电荷,适用于多种电力转换和控制应用。
    主要功能
    - 低导通电阻:确保高效率和低功耗。
    - 低门极电容:减少开关损耗。
    - 优化的开关特性:超低的门极电荷,提高频率响应。
    应用领域
    - 服务器和电信电源供应:提供高效的电源转换解决方案。
    - 开关模式电源供应(SMPS):改善能源效率和稳定性。
    - 功率因数校正电源供应(PFC):提升输入端的功率因数。
    - 照明系统:包括高强度放电灯(HID)和荧光灯。
    - 工业设备:广泛应用于各种工业控制系统中。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压(VDS) | 650 | V |
    | 最大连续漏电流(TJ = 150 °C) | 7 | A |
    | 最小栅极-源极阈值电压(VGS(th)) | 2 | V |
    | 最大零栅极电压漏电流(IDSS) | 1 μA
    | 最大栅极-源极泄漏电流(IGSS) | ±100 nA
    | 最大单脉冲雪崩能量(EAS) | 186 | mJ |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.5 | Ω |
    | 有效输出电容,能量相关(Co(er)) | - | pF |
    | 有效输出电容,时间相关(Co(tr)) | - | pF |
    | 总门极电荷(Qg) | 16 | nC |
    | 最大漏源电压坡度(dV/dt) | 30 | V/ns |

    产品特点和优势


    - 高效能:低导通电阻和低门极电容特性显著降低功率损耗,提升整体效率。
    - 高可靠性:优化的材料和设计确保长期稳定运行。
    - 适应性强:适用于各种高要求的应用场景,如电信、服务器及工业设备。
    - 易于集成:标准封装简化电路板设计,减少布局复杂度。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应:由于其高效率,该MOSFET能够显著降低数据中心和基站的能耗,延长设备寿命。
    - 工业控制系统:在高频操作环境下表现出色,适用于各种复杂的电力转换场景。
    - LED照明:配合其他驱动电路,实现节能且稳定的照明效果。
    使用建议
    - 选择合适的散热器:根据产品热阻特性选择适合的散热解决方案,确保长期可靠运行。
    - 注意门极驱动信号:确保门极驱动信号的波形符合产品要求,避免过压或过流情况发生。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品适用于各类通用驱动电路,支持多种电源输入电压。
    - 厂商支持:提供详细的技术文档和客户服务热线,协助用户解决安装和调试过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:启动时温度过高导致损坏。
    - 解决方案:检查散热设计,确保散热系统正常工作,降低工作温度。
    2. 问题:设备在高频操作下表现不稳定。
    - 解决方案:调整门极驱动电压和电阻,优化驱动电路,确保频率响应符合需求。
    3. 问题:设备在极端环境下无法正常工作。
    - 解决方案:参考绝对最大额定值,确认实际使用环境未超出最大工作温度和电压范围。

    总结和推荐


    综上所述,T12N60 Power MOSFET是一款性能优异的产品,适用于各种高要求的应用场景。它具备出色的能效比、可靠的性能和广泛的适用范围。推荐在对功率转换效率和系统稳定性有严格要求的场合中使用。
    如果您有任何进一步的技术问题或需求帮助,请随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

T12N60-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 9A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

T12N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

T12N60-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 T12N60-VB T12N60-VB数据手册

T12N60-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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起订量: 10 增量: 1000
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