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K3993-ZK-E2-AZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: K3993-ZK-E2-AZ-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3993-ZK-E2-AZ-VB

K3993-ZK-E2-AZ-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

    1. 产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金氧半场效晶体管)是一款高性能的低导通电阻(RDS(on))场效应晶体管,广泛应用于服务器、电源管理和电力转换系统等领域。这款MOSFET采用先进的TrenchFET®技术制造,能够在高效率下提供卓越的性能表现。

    2. 技术参数


    该N-Channel MOSFET的技术参数如下表所示:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 30 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.5 | 2.5 V |
    | 零栅电压漏电流 | IDSS | 1 10 | μA |
    | 正向导通电阻 | RDS(on) | 0.002 0.00 | Ω |
    | 栅电荷 | Qg | 71.5 | 103 | 227 | nC |
    | 门极电阻 | Rg | 1.4 | 2.1 Ω |
    | 开启延迟时间 | td(on) | 18 | 27 ns |
    | 上升时间 | tr | 11 | 17 ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) | 55 | 83 ns |
    | 下降时间 | tf | 10 | 15 ns |

    3. 产品特点和优势


    - 先进TrenchFET®技术:确保低导通电阻和高效率。
    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试,符合RoHS标准,确保产品长期可靠运行。
    - 宽工作温度范围:支持-55°C到175°C的工作温度,适用于各种严苛环境。

    4. 应用案例和使用建议


    - OR-ing电路:该MOSFET非常适合用于电源冗余管理中的OR-ing电路,以实现高效的负载切换。
    - 服务器电源系统:该产品能有效降低功率损耗,提高服务器系统的整体效率。

    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是当工作于高功率状态下时,使用适当的散热片或风扇以避免过热。
    - 在电路设计时,要根据负载条件和工作温度合理选择栅极电阻(Rg)。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与现有多种电路板设计兼容,方便集成到现有的系统中。
    - 技术支持:制造商提供详尽的技术文档和支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET在高温下失效。
    解决方案:确保良好的散热,使用适当的散热片或冷却系统,减少热量积聚。
    - 问题:栅极驱动电压不合适。
    解决方案:确保栅极驱动电压在合适的范围内(10V),以达到最佳性能。

    7. 总结和推荐


    这款N-Channel 30-V (D-S) MOSFET凭借其先进的技术和优秀的电气特性,特别适合在服务器、电源管理和电力转换系统中使用。其高可靠性、低功耗和广泛的温度适应性使其在市场上具备很强的竞争力。强烈推荐在相关应用中采用此产品。

K3993-ZK-E2-AZ-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 100A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3993-ZK-E2-AZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3993-ZK-E2-AZ-VB K3993-ZK-E2-AZ-VB数据手册

K3993-ZK-E2-AZ-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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