处理中...

首页  >  产品百科  >  K2929-VB

K2929-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: K2929-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2929-VB

K2929-VB概述

    K2929-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    K2929-VB 是一款 N-Channel 60V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO-220AB 封装。这款 MOSFET 集成了低栅极驱动电压下的高电流能力,适用于多种电力转换应用。它符合无卤素、RoHS 和欧盟指令,广泛应用于开关电源、电机驱动和功率管理等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS):60V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):50A(25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):200A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):400mJ
    - 最大功率耗散 (PD):150W(25°C)
    - 峰值二极管恢复电压 (dV/dt):4.5V/ns
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS):60V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):1.0V 至 2.5V
    - 栅源漏电流 (IGSS):±100nA
    - 零栅压漏电流 (IDSS):≤25μA
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10V 时:0.024Ω
    - VGS = 4.5V 时:0.028Ω
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss):190pF
    - 输出电容 (Coss):pF
    - 反向转移电容 (Crss):未提供
    - 总栅极电荷 (Qg):≤66nC
    - 栅源电荷 (Qgs):12nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):43nC
    - 开关时间:
    - 开启延迟时间 (td(on)):17ns
    - 上升时间 (tr):230ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)):2ns
    - 下降时间 (tf):110ns

    产品特点和优势


    1. 无卤素设计:符合 IEC 61249-2-21 定义,符合欧盟无卤素要求。
    2. 表面贴装:便于自动化组装,提高生产效率。
    3. 逻辑级栅极驱动:需要较低的驱动电压,简化电路设计。
    4. 快速开关:减少开关损耗,提高效率。
    5. 高可靠性:符合 RoHS 指令 2002/95/EC,适合工业和商业应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:K2929-VB 可用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和电池充电器等场合。它特别适用于需要低栅极驱动电压和高电流处理能力的应用。
    - 使用建议:为了最大限度地发挥其性能,建议在使用过程中注意散热设计,确保 MOSFET 的工作温度不超过 175°C。此外,在高频应用中应注意 PCB 设计,以减少寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:K2929-VB 与常见的表面贴装工艺兼容,适用于多种 PCB 材料和尺寸。
    - 支持:VBsemi 提供详细的技术文档和支持服务,帮助客户解决应用中的技术问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET 在高温下出现过热。
    - 解决方案:增加散热片或优化 PCB 散热设计。
    2. 问题:MOSFET 在高频率应用中表现不佳。
    - 解决方案:减小寄生电感,优化 PCB 布局。
    3. 问题:栅极驱动信号不稳定。
    - 解决方案:使用低噪声电源和稳压器,确保栅极驱动信号的稳定。

    总结和推荐


    K2929-VB 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET,适合多种电力转换应用。其无卤素设计、快速开关能力和低栅极驱动需求使其在市场上具有很强的竞争力。建议在电力管理和控制领域优先选择此款 MOSFET。

K2929-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 50A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2929-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2929-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2929-VB K2929-VB数据手册

K2929-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
1000+ ¥ 1.4911
库存: 400000
起订量: 20 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 35
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504