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K2036-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: K2036-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2036-VB

K2036-VB概述

    # VBsemi N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册解读

    1. 产品简介


    基本描述
    VBsemi K2036 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有出色的开关速度和低导通电阻(RDS(on))。该产品采用了先进的 TrenchFET® 技术,适用于各种低压和高速电路设计。
    主要功能
    - 支持高达 60V 的漏极-源极电压(VDS)。
    - 阈值电压低至 2V,易于驱动,无需缓冲器。
    - 低输入电容(Ciss),仅 25 pF,适合高频应用。
    - 快速开关速度,典型值为 25ns。
    应用领域
    - 直接逻辑接口:如 TTL/CMOS。
    - 各类驱动器:继电器、电磁阀、灯泡、显示器、存储器等。
    - 电池供电系统。
    - 固态继电器。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS 60 V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 1 | 2.5 V |
    | 门体漏电流 | IGSS ±10 µA |
    | 开启状态漏极电流 | ID(on) | 300 | 500 mA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 2.8 | 3.1 | 3.5 | Ω |
    工作环境
    - 最大工作温度范围:-55°C 至 +150°C。
    - 脉冲宽度限制:最大结温下。
    - 表面安装:FR4 板上。

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    - 采用先进的 TrenchFET® 技术,提高效率并降低功耗。
    - 符合 RoHS 和 IEC 61249-2-21 标准。
    - 快速开关时间,特别适合高频率应用。
    市场竞争力
    - 极低的导通电阻(RDS(on)),减少能量损耗。
    - 高速响应,提升整体系统性能。
    - 易于驱动,无需复杂的外围电路。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用案例
    - 用于电池供电设备中,例如便携式医疗设备。
    - 在汽车电子中作为驱动控制元件。
    - 工业自动化中的电机驱动器。
    使用建议
    - 选择合适的散热方案以确保长期稳定性。
    - 在高频开关电路中,注意 PCB 布局以减少寄生效应。
    - 结合其他元器件时,确保符合整体系统的电气要求。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - 可与其他标准封装的 N 沟道 MOSFET 互换。
    - 与主流微控制器和驱动芯片兼容。
    支持和服务
    - 提供详尽的技术文档和技术支持。
    - 客户可联系服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率不稳定 | 检查 PCB 设计,优化接地和屏蔽。 |
    | 导通电阻过高 | 确保工作电压接近额定值。 |
    | 过热保护触发 | 改善散热措施,增加风扇或散热片。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    VBsemi K2036 N 沟道 60-V MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,特别适合需要快速响应和低功耗的应用场景。其紧凑的设计和广泛的工作温度范围使其成为工业和消费电子领域的理想选择。
    推荐意见
    强烈推荐此产品用于需要高效能和高可靠性的场合。无论是在家用电器、工业控制还是汽车电子领域,VBsemi K2036 都能提供卓越的表现和支持。

K2036-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 300mA
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2036-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2036-VB数据手册

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K2036-VB封装设计

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