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2SK612-Z-E2-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,25A,RDS(ON),55mΩ@10V,57mΩ@4.5V,73mΩ@2.5V,20Vgs(±V);1.4Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 2SK612-Z-E2-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK612-Z-E2-VB

2SK612-Z-E2-VB概述

    2SK612-Z-E2 N-Channel 100V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    2SK612-Z-E2 是一款由VBsemi公司生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要用于电源管理和其他高电流开关应用中作为初级侧开关。该MOSFET采用先进的TrenchFET®技术制造,具备出色的热稳定性和耐用性。

    2. 技术参数


    - 电压等级: VDS (Drain-Source电压) = 100 V
    - 栅源电压: VGS (栅源电压) = ± 20 V
    - 连续漏极电流: ID (漏极电流) @ TC = 25 °C 时为 25 A;@ TC = 70 °C 时为 20 A
    - 脉冲漏极电流: IDM (脉冲漏极电流) = 75 A
    - 连续源漏二极管电流: IS (源漏二极管电流) @ TC = 25 °C 时为 50 A;@ TA = 25 °C 时为 6.9 A
    - 单脉冲雪崩电流: IAS = 33 A
    - 单脉冲雪崩能量: EAS = 55 mJ
    - 最大功耗: PD (最大功耗) @ TC = 25 °C 时为 83 W;@ TC = 70 °C 时为 58 W
    - 热阻: RthJA (结到环境的最大热阻) = 15 °C/W;RthJC (结到壳体的热阻) = 1.5 °C/W
    - 工作温度范围: TJ, Tstg (结温和存储温度范围) = -55 °C 到 +175 °C

    3. 产品特点和优势


    - 先进的TrenchFET®技术: 提供更低的导通电阻和更高的电流密度。
    - 高可靠性: 100% UIS测试确保在各种条件下具有稳定的性能。
    - 高功率密度: 在有限的空间内提供更高的功率处理能力。
    - 广泛的工作温度范围: 从-55°C到+175°C,适用于严苛的环境条件。
    - 低导通电阻: 最大RDS(on)仅为0.055 Ω(@ VGS = 10 V),实现低损耗。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 适用于AC-DC转换器、电机驱动器和直流/直流转换器中的开关元件。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,确保散热设计充分以避免过热。
    - 在脉冲电流情况下,应注意热冲击的影响,适当增加冷却措施。
    - 根据不同的工作条件选择合适的栅源电压VGS以确保最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该MOSFET可直接替代其他N沟道MOSFET,如IRFZ44N或FDP080N06LX等。
    - 支持: VBsemi提供全面的技术支持,包括产品文档、应用程序笔记和技术咨询服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 温度过高导致过热
    - 解决方案: 改善散热设计,例如使用更大的散热片或外部风扇。
    - 问题2: 开关频率不稳定
    - 解决方案: 检查电路布局,确保电路走线尽可能短,减少寄生电感。
    - 问题3: 导通电阻异常升高
    - 解决方案: 确保栅极驱动信号足够强且干净,避免噪声干扰。

    7. 总结和推荐


    综上所述,2SK612-Z-E2 是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET。它的关键特性包括较低的导通电阻、高电流密度、广泛的温度范围和强大的热稳定性。对于需要高效率和稳定性的应用,如电源管理、电机驱动和直流/直流转换器,2SK612-Z-E2 是理想的选择。我们强烈推荐这一产品用于多种高要求的应用场合。
    服务热线:400-655-8788

2SK612-Z-E2-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.4V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 25A
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 55mΩ@10V,57mΩ@4.5V,73mΩ@2.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK612-Z-E2-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK612-Z-E2-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK612-Z-E2-VB 2SK612-Z-E2-VB数据手册

2SK612-Z-E2-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
2500+ ¥ 2.1526
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