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UT2321G-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: UT2321G-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT2321G-AE3-R-VB

UT2321G-AE3-R-VB概述

    P-Channel 30V MOSFET 技术手册综述

    1. 产品简介


    P-Channel 30V MOSFET 是一款高效能的沟槽式场效应晶体管(TrenchFET),适用于笔记本电脑及其他移动计算设备中的电源管理应用。其主要功能包括负载开关、笔记本适配器开关及直流/直流转换器等。这些应用场景要求器件具备高可靠性和低功耗的特点。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS):30V
    - 漏极电流 (ID):最高可达5.6A(@ TC = 25°C)
    - 最大功耗 (PD):2.5W(@ TC = 25°C)
    - 静态漏源击穿电压 (VDS):≥30V
    - 热阻抗 (RthJA):最大100°C/W
    - 栅极泄漏电流 (IGSS):±100nA(@ VDS = 0V,VGS = ±20V)
    - 零栅电压漏电流 (IDSS):≤-1μA(@ VDS = -30V,VGS = 0V)

    3. 产品特点和优势


    这款P-Channel MOSFET的主要优势包括:
    - 高可靠性:100% Rg测试,确保生产一致性。
    - 高效能:在各种工作条件下保持稳定的性能表现。
    - 紧凑封装:采用SOT-23封装,便于集成到小型化设计中。
    - 应用广泛:适合多种电源管理和信号控制场合。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 笔记本电脑适配器开关
    - 移动设备充电电路
    - DC/DC转换器的负载开关
    使用建议:
    - 在使用过程中,注意控制温度,以防止过热损坏。
    - 对于负载开关应用,建议并联使用多个器件以增加电流处理能力。
    - 在高频开关电路中,需要考虑寄生电容的影响,适当增加栅极电阻以优化开关性能。

    5. 兼容性和支持


    这款MOSFET与大多数常见的集成电路和其他电子元件兼容,适用于标准PCB制造工艺。供应商提供全面的技术支持,包括详细的使用指南和技术文档,确保客户能够顺利集成和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 工作时温度过高 | 改善散热设计,例如增加散热片或风扇 |
    | 开关频率不稳定 | 调整栅极电阻,优化驱动电路 |
    | 性能随温度变化较大 | 使用具有更低温度系数的器件 |

    7. 总结和推荐


    总体来看,这款P-Channel 30V MOSFET以其高性能、高可靠性和紧凑的设计,在电源管理和信号控制领域具有显著的优势。对于需要高效率和小体积的应用,如笔记本电脑和移动设备,这款产品是一个理想的选择。因此,强烈推荐在相关项目中使用该器件。
    如有更多疑问或需求,欢迎联系我们的客户服务团队:400-655-8788。

UT2321G-AE3-R-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 5.6A
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT2321G-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT2321G-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT2321G-AE3-R-VB UT2321G-AE3-R-VB数据手册

UT2321G-AE3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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