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UT4101G-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: UT4101G-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT4101G-AE3-R-VB

UT4101G-AE3-R-VB概述

    UT4101G-AE3-R P-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    UT4101G-AE3-R 是一款P沟道增强型MOSFET,主要用于负载开关和PA开关,以及DC/DC转换器等领域。该器件采用SOT-23封装形式,适用于表面贴装,具有高可靠性、低导通电阻(RDS(on))和高速开关特性等特点。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | - | -20 | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | -0.5 | - | 1.5 | V |
    | 门限电压温度系数 | VGS(th)/TJ | - | 2.9 | - | mV/°C |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.035(在VGS=-10V下) | 0.061(在VGS=-2.5V下) |  |
    | 栅极电荷 | Qg | - | 6.4 | 10 | nC |
    | 集电极连续电流 | ID | - | 5 | -4.8 | A |
    | 功耗 | PD | - | 2.5 | - | W |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:最小RDS(on)为0.035Ω,可有效减少导通损耗。
    - 高速开关:典型栅极电荷Qg为6.4至10nC,适合高频应用。
    - 高可靠性:100% Rg测试保证产品质量,符合RoHS标准。
    - 环保材料:无卤素设计,符合IEC 61249-2-21定义。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关:适用于需要快速切换和低导通电阻的应用。
    - PA开关:在无线通信系统中实现高效的功率放大器开关控制。
    - DC/DC转换器:提升电源管理效率,减少功耗。
    使用建议:
    - 确保电路布局合理,减小引线电感,提高整体效率。
    - 注意散热设计,避免长时间过载运行。

    兼容性和支持


    - 该器件可与其他标准SOT-23封装的电子元件兼容。
    - 厂商提供详尽的技术支持和售后服务,确保客户能顺利应用产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下使用时,RDS(on)变大。
    解决方案:检查散热设计,确保足够的散热措施,如加装散热片。

    - 问题:启动延迟时间较长。
    解决方案:优化驱动电路设计,增加合适的驱动电阻,减小延迟时间。

    总结和推荐


    UT4101G-AE3-R P-Channel MOSFET 具有出色的导通电阻、高速开关特性和高可靠性,非常适合负载开关、PA开关和DC/DC转换器等应用。它符合严格的环保要求,且兼容性良好,因此我们强烈推荐这款产品用于高性能电子设计项目中。

UT4101G-AE3-R-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 12V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
Id-连续漏极电流 4A
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT4101G-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT4101G-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT4101G-AE3-R-VB UT4101G-AE3-R-VB数据手册

UT4101G-AE3-R-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
300+ ¥ 0.2156
500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
库存: 400000
起订量: 115 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:115
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型号 价格(含增值税)
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