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UTT30N06L-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
供应商型号: UTT30N06L-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT30N06L-TN3-R-VB

UTT30N06L-TN3-R-VB概述

    UTT30N06L-TN3-R N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UTT30N06L-TN3-R 是一款高性能的N沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TO-252封装。该产品专为高可靠性设计,适用于各种电子设备,如电源管理、电机控制和通信系统。其独特的TrenchFET®结构使其具有较低的导通电阻和较高的耐温能力,适用于严苛的工作环境。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):60 V
    - 最大连续漏极电流 (ID):100 A (TC = 25°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):100 A (单脉冲)
    - 最大源极电流 (IS):23 A
    - 最大雪崩电流 (IAS):20 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):20 mJ
    - 最大功耗 (PD):100 W (TC = 25°C)
    - 最大结温 (TJ):175°C
    - 热阻 (RthJA):18°C/W (t ≤ 10 sec)
    - 输入电容 (Ciss):1500 pF (VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss):140 pF
    - 反向转移电容 (Crss):60 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):11-17 nC (VDS = 30 V, VGS = 10 V, ID = 23 A)
    - 栅源电荷 (Qgs):3 nC
    - 栅极电荷 (Qgd):3 nC
    - 开启延时时间 (td(on)):8-15 ns (VDD = 30 V, RL = 1.3 Ω, ID ≅ 23 A, VGEN = 10 V, Rg = 2.5 Ω)
    - 上升时间 (tr):15-25 ns
    - 关断延时时间 (td(off)):30-45 ns
    - 下降时间 (tf):25-40 ns

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 结构:采用先进的TrenchFET®技术,提供低导通电阻和高速开关性能。
    2. 高耐温能力:可承受高达175°C的结温,适用于高温环境。
    3. 低功耗:低导通电阻(rDS(on)),减少功率损耗。
    4. 高可靠性和稳定性:经过严格的测试,确保在恶劣条件下的长期稳定运行。
    5. 快速开关特性:低栅极电荷和快速开关时间,提高电路效率。

    应用案例和使用建议


    1. 电源管理:适用于高效率电源转换器,如DC-DC转换器和开关电源。
    2. 电机驱动:用于工业自动化中的电机驱动器,提高系统的可靠性和效率。
    3. 通信系统:适用于通信设备中的电源管理和信号处理。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,注意散热设计,避免过热导致损坏。
    - 在电机驱动应用中,适当增加栅极电阻以减小开关损耗。

    兼容性和支持


    UTT30N06L-TN3-R 支持多种电路板布局和设计,可广泛应用于不同类型的电子设备。制造商提供详尽的技术支持和售后维护,包括详细的安装指南和故障排查手册。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:温度过高导致MOSFET失效
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,确保适当的通风和冷却措施。

    2. 问题:开关速度慢导致效率降低
    - 解决方案:减小栅极电阻,优化电路布局以减少寄生电容的影响。

    总结和推荐


    UTT30N06L-TN3-R N-Channel 60V MOSFET 以其低导通电阻、高耐温能力和快速开关性能,成为众多应用的理想选择。无论是电源管理还是电机控制,其卓越的性能都能显著提升系统的整体效率和可靠性。强烈推荐使用此产品。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com

UTT30N06L-TN3-R-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Id-连续漏极电流 45A
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTT30N06L-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT30N06L-TN3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT30N06L-TN3-R-VB UTT30N06L-TN3-R-VB数据手册

UTT30N06L-TN3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
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型号 价格(含增值税)
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