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K3932-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: K3932-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3932-01MR-VB

K3932-01MR-VB概述

    # K3932-01MR-VB 功率MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3932-01MR-VB 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Power MOSFET),适用于多种高要求的应用场景。该器件具备低导通电阻和极低的栅极电荷特性,这使其成为服务器、电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)的理想选择。此外,K3932-01MR-VB在工业领域也具有广泛的应用前景。

    技术参数


    以下是K3932-01MR-VB的主要技术规格:
    - 最大漏源电压 (VDS): 650V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.04Ω(典型值)
    - 栅极电荷 (Qg): 10nC(最大值)
    - 栅源电荷 (Qgs): 3.5nC(最大值)
    - 栅漏电荷 (Qgd): 4.0nC(最大值)
    - 反向恢复时间 (trr): 190ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 2.3μC
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 额定脉冲雪崩能量 (EAS): 87mJ

    产品特点和优势


    K3932-01MR-VB 具有以下几个显著特点:
    - 低功耗特性:该器件的RDS(on)仅为0.04Ω,有助于减少导通损耗。
    - 低输入电容:输入电容(Ciss)较低,能够实现快速的开关速度。
    - 出色的可靠性:能承受重复的雪崩击穿电压(UIS),适合恶劣的工作环境。
    - 快速的反向恢复性能:拥有较短的反向恢复时间和较低的反向恢复电荷,适用于高频应用。

    应用案例和使用建议


    K3932-01MR-VB 广泛应用于各类高效率电源设计,如:
    - 服务器和电信电源:在这些系统中,高能效和热稳定性是关键需求。
    - 照明系统:特别适合高强度放电灯和荧光灯镇流器,因为其低损耗特性可显著提升系统的能效。
    - 工业设备:在工业应用中,这款器件的宽工作温度范围使它成为不可或缺的选择。
    使用时,建议在进行热管理时充分考虑器件的散热特性,确保器件在额定工作条件下运行,以延长使用寿命。

    兼容性和支持


    K3932-01MR-VB 采用标准的TO-220 FULLPAK封装,易于安装和更换。厂商提供了详尽的技术支持和服务,确保客户能够在各个应用环节中得到及时有效的帮助。

    常见问题与解决方案


    问题1: 器件过热导致损坏
    解决方法: 确保良好的散热设计,选用合适的散热片和风扇,避免器件长时间处于高温环境下工作。
    问题2: 开关频率过高引起失效
    解决方法: 在应用设计时合理设定开关频率,尽量保持在器件的推荐范围内,同时优化驱动电路的设计,降低开关损耗。
    问题3: 反向恢复电流过大
    解决方法: 使用具有低Qrr特性的二极管,或者通过减小负载电感的方法来控制反向恢复电流。

    总结和推荐


    K3932-01MR-VB是一款高效且可靠的N沟道功率MOSFET,尤其适合需要高能效和宽工作温度范围的应用场合。其出色的热稳定性和低损耗特性使得该器件在各种高压高功率的应用中表现出色。强烈推荐在各类工业电源和照明系统中使用这款器件,以获得最佳的性能表现和稳定性。
    如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系我们的客户服务热线:400-655-8788 或访问官方网站 www.VBsemi.com。

K3932-01MR-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 10A
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3932-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3932-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3932-01MR-VB K3932-01MR-VB数据手册

K3932-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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