处理中...

首页  >  产品百科  >  UT04N65F-VB

UT04N65F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: UT04N65F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT04N65F-VB

UT04N65F-VB概述

    UT04N65F N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UT04N65F 是一款由台湾VBsemi电子有限公司生产的 N-通道 650V(D-S)功率 MOSFET。该器件主要应用于高压直流转换、电源管理和工业控制系统等领域。它以其出色的性能和可靠性,在电子设计中被广泛采用。

    2. 技术参数


    - 电压等级: VDS (漏源电压) 最高达 650V。
    - 导通电阻: RDS(on) 在 VGS = 10V 下为 2.5Ω。
    - 总栅极电荷: Qg (最大值) 为 48nC。
    - 门极电容: Ciss 最大值为 1080pF。
    - 雪崩耐受能力: 单脉冲雪崩能量 EAS 为 325mJ。
    - 工作温度范围: 操作结温和存储温度范围为 -55°C 至 +150°C。

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:UT04N65F 的低栅极电荷(Qg)使得驱动要求简单,减少了功耗。
    - 增强的耐用性:改进的门极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性,确保长期稳定运行。
    - 全面测试:完全测试的电容、雪崩电压和电流,符合RoHS指令2002/95/EC。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景: 常用于电动车辆充电站、光伏逆变器、高频开关电源及工业自动化系统。
    - 使用建议:建议在电路设计时考虑降低杂散电感,使用接地平面以提高系统稳定性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与现有系统中的其他电子元器件高度兼容。
    - 支持服务: 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的产品文档和技术指导。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 雪崩击穿电压不稳定。
    - 解决方案: 确保驱动电压和电流在额定范围内,并适当调整散热措施。
    - 问题: 工作温度过高导致性能下降。
    - 解决方案: 使用合适的热管理策略,如散热片或风扇来维持在安全的工作温度范围内。

    7. 总结和推荐


    UT04N65F 在其高电压能力和出色的耐久性方面表现出色,适用于需要高压处理的应用场合。该器件在耐用性和易用性方面具有显著优势,强烈推荐在电力转换和控制设备中使用。总的来说,UT04N65F 是一个值得信赖的选择,能够满足大部分高压电力系统的严格需求。

UT04N65F-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Id-连续漏极电流 4A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT04N65F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT04N65F-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT04N65F-VB UT04N65F-VB数据手册

UT04N65F-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 32.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504