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UT4957G-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-8.5A,RDS(ON),21mΩ@10V,28mΩ@4.5V,12Vgs(±V);-1.8Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: UT4957G-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT4957G-S08-R-VB

UT4957G-S08-R-VB概述

    UT4957G-S08-R Dual P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UT4957G-S08-R 是一款双P通道30-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要适用于负载开关应用,如笔记本电脑、台式机和游戏站。其主要功能包括高可靠性、快速开关和低导通电阻,使其成为现代电子设备中不可或缺的组件。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): -30V
    - 最大连续漏极电流 (ID): -9.5A(TC = 25°C),-8.0A(TC = 70°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): -32A
    - 阈值电压 (VGS(th)): -1.0V 至 -3.0V
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): ±100nA
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS): -1μA
    - 最大导通电阻 (RDS(on)): 0.02Ω (VGS = -10V),0.028Ω (VGS = -4.5V)
    - 总栅极电荷 (Qg): 15nC (VGS = -4.5V)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 20mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 5.0W(TC = 25°C),3.2W(TC = 70°C)
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    1. 环保无卤素材料: 符合RoHS标准,环保安全。
    2. 高效能TrenchFET技术: 提供较低的导通电阻和高可靠性。
    3. 全温度范围内稳定性能: 在极端温度条件下也能保持良好的性能。
    4. 高抗冲击能力: 可承受高达20mJ的单脉冲雪崩能量。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 在笔记本电脑、台式机和游戏站中作为负载开关使用。
    - 使用建议:
    - 确保在设计电路时考虑到最大功率耗散,以避免过热。
    - 使用散热片或其他冷却措施,提高设备可靠性。
    - 在低温环境下使用时,注意器件的温度稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 本产品为SO-8封装,适合与各类兼容SO-8封装的其他电子元器件和设备配套使用。
    - 支持: 制造商提供详细的技术文档和客户支持,确保用户能够顺利集成并使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 导通电阻变大
    - 解决方法: 检查栅极电压是否在规定范围内,确保正确的驱动电压。
    2. 问题: 高温下性能下降
    - 解决方法: 采用适当的散热措施,如添加散热片或风扇。
    3. 问题: 脉冲电流过大导致损坏
    - 解决方法: 使用合适的限流电阻,避免过大的瞬态电流。

    总结和推荐


    UT4957G-S08-R是一款性能优异的双P通道30-V MOSFET,特别适用于需要高可靠性和高效能的应用场景。其环保无卤素材料和高效的TrenchFET技术使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐给需要高性能MOSFET的电子设备制造商和工程师。
    如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,请联系我们的客服热线:400-655-8788。

UT4957G-S08-R-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 21mΩ@10V,28mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 8.5A
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT4957G-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT4957G-S08-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT4957G-S08-R-VB UT4957G-S08-R-VB数据手册

UT4957G-S08-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
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