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K2022-01M-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K2022-01M-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2022-01M-VB

K2022-01M-VB概述

    Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种广泛应用在电源转换、电信设备和工业领域的高性能电子元器件。它的主要功能是在开关电源、功率因数校正电路、高强度放电灯(如路灯、探照灯等)和荧光灯镇流器等应用中,有效地进行电力控制和转换。这些特性使其成为现代电力电子系统中的关键组件。

    2. 技术参数


    以下是该Power MOSFET的主要技术参数:
    - 漏源电压(VDS):最大值为650V
    - 漏源击穿电压(VDS):在VGS=0V,ID=250μA条件下,最大值为650V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):在VDS=VGS,ID=250μA条件下,范围为2.5~5V
    - 栅源漏电流(IDSS):在VDS=650V,VGS=0V条件下,最大值为1μA
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):在VGS=10V条件下,典型值为1Ω
    - 输入电容(Ciss):无特定测试条件下的典型值
    - 输出电容(Coss):无特定测试条件下的典型值
    - 反向转移电容(Crss):无特定测试条件下的典型值
    - 有效输出电容(Co(er)):从0V到520V,VGS=0V,无特定测试条件下的典型值
    - 总栅极电荷(Qg):在VGS=10V,ID=4A,VDS=520V条件下的典型值
    - 栅源电荷(Qgs):在特定条件下,单位为nC
    - 栅漏电荷(Qgd):在特定条件下,单位为nC

    3. 产品特点和优势


    - 低损耗:具有低栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),有助于降低开关和导通损耗。
    - 高可靠性:经受多次脉冲冲击能力高,单脉冲雪崩能量(EAS)可达97mJ。
    - 适用于多种应用场景:适用于服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源等。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:广泛应用于照明(如HID灯和荧光灯)、工业设备和各类电源转换电路中。
    - 使用建议:在设计电源转换电路时,需要考虑散热问题,建议采用良好的散热设计,以确保长期稳定运行。对于高速开关应用,可以适当减少栅极电阻(Rg),以提高开关速度并减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 该Power MOSFET与大多数标准电源转换电路兼容,适用于TO-220封装的各种电路板设计。
    - 厂商提供详细的技术支持和维修服务,客户可以通过官方渠道获取技术支持和配件更换服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:长时间运行后,设备出现过热现象。
    - 解决方法:检查散热片是否安装良好,增加散热风扇或者采用更高效的散热方案。
    - 问题二:栅极驱动波形不正常。
    - 解决方法:检查驱动电路是否有误,确保驱动波形满足技术手册要求。
    - 问题三:设备启动困难。
    - 解决方法:确认输入电压和栅极驱动电压是否符合技术手册要求。

    7. 总结和推荐


    综上所述,这款Power MOSFET具备高性能、低损耗的特点,在多种电源转换应用中表现优异。经过综合评估,我们强烈推荐使用此款产品。无论是针对高功率应用还是复杂环境下的使用,它都能提供卓越的性能和可靠性。

K2022-01M-VB参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 7A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2022-01M-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2022-01M-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2022-01M-VB K2022-01M-VB数据手册

K2022-01M-VB封装设计

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