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SUD45P03-15-T1-E3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-40V,-65A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:'TO252 用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。
供应商型号: 14M-SUD45P03-15-T1-E3-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SUD45P03-15-T1-E3-VB

SUD45P03-15-T1-E3-VB概述


    产品简介


    SUD45P03-15-T1-E3 是一款P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TO-252封装。这款MOSFET的主要特点是其低热阻特性,使其适用于各种高效率、高性能的应用场合。广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源等领域。

    技术参数


    | 参数名称 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | -40 | V |
    | 门源阈值电压 (VGS(th)) | -1.5 ~ -2.5 | V |
    | 最大漏极电流 (ID) | -50 | A |
    | 热阻抗(结到环境) (RthJA) | 50 | °C/W |
    | 热阻抗(结到外壳) (RthJC) | 1.1 | °C/W |
    | 零门电压漏极电流 (IDSS) | -1 ~ -50 | A |
    | 源极连续电流 (IS) | -50 | A |

    产品特点和优势


    1. 低热阻特性:通过高效的散热设计,能够显著降低设备的温升,提高使用寿命和可靠性。
    2. TrenchFET®技术:采用了先进的TrenchFET技术,具有较低的导通电阻(RDS(on)),从而提高了整体效率。
    3. 100% Rg和UIS测试:保证了产品的稳定性和可靠性,适合于苛刻的工作环境。
    4. 高门电荷特性:低门电荷特性可以实现快速的开关速度,减少能量损失。

    应用案例和使用建议


    SUD45P03-15-T1-E3 主要用于电源管理和电机驱动。例如,在电源转换应用中,该器件可以用于高频PWM控制器,实现高效、快速的响应。在电机驱动方面,它的低导通电阻有助于降低驱动损耗,提高效率。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需确保PCB布局合理,特别是热管理部分,以避免过热导致的可靠性问题。
    - 在大电流应用中,尽量减小走线的电阻和电感,避免因压降过大影响系统性能。

    兼容性和支持


    SUD45P03-15-T1-E3 可以与大多数标准的P沟道功率MOSFET配套使用,具有良好的兼容性。VBsemi公司提供了详细的技术文档和支持,包括应用指南和故障排查手册,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关过程中发热严重。
    解决方法: 确保PCB布局合理,使用足够的散热措施,并优化驱动电路的设计。

    2. 问题: 寿命较短。
    解决方法: 确保工作环境温度不超过额定范围,定期进行热测试并根据需要调整散热设计。

    总结和推荐


    综上所述,SUD45P03-15-T1-E3是一款性能优异、可靠稳定的P沟道功率MOSFET。它不仅具备低导通电阻和高效能的特点,还能够在高温环境下保持稳定运行。对于需要高效率、高可靠性的应用,强烈推荐使用此产品。

SUD45P03-15-T1-E3-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 65A
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,13mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SUD45P03-15-T1-E3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SUD45P03-15-T1-E3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SUD45P03-15-T1-E3-VB SUD45P03-15-T1-E3-VB数据手册

SUD45P03-15-T1-E3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.3779
10+ ¥ 3.1792
30+ ¥ 2.8374
100+ ¥ 2.1261
2500+ ¥ 2.0466
7500+ ¥ 1.987
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