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K375L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景, 门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性,阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为2200m?,提供可靠的导通特性,漏极电流为2A,适用于低功率需求,采用SJ_Deep-Trench技术,具有优异的性能和可靠性, 封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: K375L-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K375L-VB

K375L-VB概述


    产品简介


    本文介绍了VBsemi的K375L型N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其设计用于高电压和高频应用。这种MOSFET采用TO-252封装,适用于多种应用领域,如开关电源、电机驱动和通讯设备等。其核心特点在于低门极电荷、增强的栅极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性,以及完全表征的电容和雪崩电压电流特性。

    技术参数


    | 参数 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 栅极-源极阈值电压 VGS(th) | 2.0 V | 4.0 V |
    | 漏极-源极耐压 VDS | 650 V | - |
    | 漏极-源极导通电阻 RDS(on) | 3.8 Ω | - |
    | 总门极电荷 Qg | 15 nC | - |
    | 门极-源极电荷 Qgs | 3 nC | - |
    | 门极-漏极电荷 Qgd | 6 nC | - |
    | 漏极连续电流 ID | 1.6 A | - |
    | 最大功率耗散 PD | 60 W | - |
    | 工作温度范围 TJ,Tstg | -55 °C | 150 °C |

    产品特点和优势


    K375L N-Channel MOSFET具有多个显著的优点:
    1. 低门极电荷:降低了驱动需求,简化了电路设计。
    2. 高鲁棒性:增强了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。
    3. 完全表征的参数:提供了详细的电容和雪崩电压电流特性,便于系统设计者准确预测其行为。
    4. 符合RoHS指令:满足环保要求,适用于各种应用领域。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:在高效率电源转换中表现出色,提供稳定的电流控制和快速的动态响应。
    - 电机驱动:由于其快速的开关特性和低损耗特性,在电机控制中表现优异。
    - 通讯设备:在高速数据传输中提供可靠的电压和电流调节能力。
    使用建议
    - 在设计电路时,确保栅极驱动电路与MOSFET的门极电荷匹配,以避免不必要的损耗。
    - 使用散热片来管理MOSFET的工作温度,以保证长期稳定运行。

    兼容性和支持


    K375L MOSFET与其他常见的MOSFET驱动器兼容,可以无缝集成到现有系统中。制造商提供了详尽的技术文档和支持,包括使用指南、电路图和热管理建议。用户可以通过热线电话400-655-8788获取进一步的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中MOSFET过热 | 确保良好的散热措施,例如加装散热片。 |
    | MOSFET无法正常开启或关闭 | 检查栅极驱动电压是否符合要求,确保正确的连接方式。 |
    | MOSFET失效 | 确认工作条件是否在额定范围内,检查是否有外部故障。 |

    总结和推荐


    综上所述,K375L N-Channel MOSFET是一款高性能、高可靠性的电子元器件,特别适合于需要高电压、高频率和高可靠性的应用场合。其独特的技术和优势使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐在各类高要求的应用中使用这款产品。

K375L-VB参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4300mΩ@10V,3440mΩ@4.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 2A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K375L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K375L-VB数据手册

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K375L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
2500+ ¥ 1.6556
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