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65N55F3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,110A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.8Vth(V) 封装:TO252\n适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: 65N55F3-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 65N55F3-VB

65N55F3-VB概述

    #

    产品简介


    N-Channel 60 V MOSFET 技术手册
    N-Channel 60 V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能、高可靠性的电子元器件。该产品采用了先进的TrenchFET®技术,具有低导通电阻和低热阻的特点。其主要功能是用于电力管理和转换,广泛应用于汽车电子、工业控制、电源管理等多个领域。

    技术参数


    静态参数
    - 漏源电压(VDS):60 V
    - 门源阈值电压(VGS(th)):2.0 V ~ 4.0 V
    - 零栅源漏电流(IDSS):≤ 1 μA
    - 最大门源漏电流(IGSS):± 100 nA
    - 漏源通态电阻(RDS(on))
    - VGS = 10 V 时:0.0050 Ω(TJ = 25 °C)
    - VGS = 4.5 V 时:0.0120 Ω(TJ = 25 °C)
    动态参数
    - 输入电容(Ciss):4844 pF ~ 6060 pF
    - 输出电容(Coss):441 pF ~ 555 pF
    - 反向转移电容(Crss):200 pF ~ 250 pF
    - 总栅极电荷(Qg):82 nC ~ 125 nC
    极限参数
    - 漏源电压(VDS):60 V
    - 门源电压(VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流(ID)
    - TC = 25 °C 时:97 A
    - TC = 125 °C 时:56 A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS):45 A
    - 最大功耗(PD)
    - TC = 25 °C 时:136 W
    - TC = 125 °C 时:45 W
    工作环境
    - 工作温度范围:-55 °C ~ +175 °C
    - 结到环境热阻(RthJA):50 °C/W
    - 结到壳热阻(RthJC):1.1 °C/W

    产品特点和优势


    N-Channel 60 V MOSFET 具备以下特点和优势:
    - 高效能:采用先进的 TrenchFET® 技术,提供更低的导通电阻和更高的开关速度。
    - 高可靠性:通过100% Rg和UIS测试,确保在极端条件下的稳定运行。
    - 低热阻:特别设计的封装提供了低热阻,有利于散热,延长使用寿命。
    - 宽温度范围:可在-55 °C 到 +175 °C 的环境中正常工作,适用于严苛的工作环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 汽车电子:用于汽车电子控制系统,如电机驱动和电池管理。
    - 工业控制:在各种工业自动化设备中作为开关器件使用。
    - 电源管理:应用于直流-直流变换器、电池充电电路等。
    使用建议
    - 在选择栅极驱动电阻时,建议根据具体的应用场景和性能需求来确定合适的电阻值,以确保开关过程中的快速响应和降低开关损耗。
    - 注意散热设计,特别是在大功率应用中,要确保良好的散热措施,以避免因过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品支持标准 TO-252 封装,与大多数现有的电路板设计兼容。
    - 支持和服务:制造商提供详尽的技术支持,包括数据手册、应用笔记和技术支持热线(400-655-8788),帮助客户解决在使用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何确保 MOSFET 的使用寿命?
    - 确保正确安装和良好散热,避免过热。
    2. 如何优化开关速度?
    - 选择合适的栅极驱动电阻,并确保栅极驱动信号的质量。
    3. 如何防止 MOSFET 过热?
    - 设计合理的散热系统,例如增加散热片或散热风扇。
    解决方案
    1. 确保正确安装和良好散热
    - 按照制造商的建议进行安装,并在必要时使用散热片或散热器。
    2. 选择合适的栅极驱动电阻
    - 参考数据手册,选择合适的栅极电阻值,并进行适当的信号滤波以减少噪声。
    3. 设计合理的散热系统
    - 在电路设计时充分考虑散热,例如增加散热片或散热风扇,并保持电路板的良好通风。

    总结和推荐


    综合评估
    N-Channel 60 V MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电力电子器件,适合多种应用场景。其采用先进的TrenchFET®技术,具有低导通电阻和低热阻的特点,能够有效提高系统的效率和可靠性。其广泛的温度适用范围使其在恶劣环境下依然表现出色。
    推荐
    鉴于其卓越的性能和可靠性,强烈推荐使用 N-Channel 60 V MOSFET 在各种电力管理和转换应用中。无论是汽车电子、工业控制还是电源管理领域,该产品都是理想的选择。

65N55F3-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 110A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.8V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

65N55F3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

65N55F3-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 65N55F3-VB 65N55F3-VB数据手册

65N55F3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 2.9798
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