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KHB7D5N60F1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: KHB7D5N60F1-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KHB7D5N60F1-VB

KHB7D5N60F1-VB概述


    产品简介


    KHB7D5N60F1 是一款高性能 N-Channel 650V 功率 MOSFET,广泛应用于电源转换和控制电路。这种类型的 MOSFET 具备低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(VDS),能够在高电压环境下实现高效的电能转换。此外,它还具有较低的栅极电荷(Qg),有助于简化驱动需求,减少驱动电路复杂度和功耗。

    技术参数


    - 最大击穿电压 (VDS):650V
    - 导通电阻 (RDS(on)):10V 下 2.5Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):最大 48nC
    - 栅源电荷 (Qgs):12nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):19nC
    - 连续漏极电流 (ID):10V 下 3.8A
    - 重复脉冲漏极电流 (IDM):18A
    - 最大功率耗散 (PD):25°C 下 30W
    - 反向恢复峰值电压 (dV/dt):2.8V/ns
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    KHB7D5N60F1 以其独特的功能和技术优势在市场上脱颖而出:
    - 低栅极电荷 (Qg):这减少了驱动需求,降低了驱动器成本并简化了设计。
    - 增强型栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受性:提升了整体可靠性和稳定性。
    - 全面表征的电容和雪崩电压电流:确保了产品的稳定性和一致性。
    - 符合 RoHS 指令:产品环保且满足欧盟标准。

    应用案例和使用建议


    KHB7D5N60F1 广泛应用于各种电源管理和控制电路中,例如:
    - 开关电源:利用其低导通电阻和高击穿电压,可以提高转换效率和可靠性。
    - 电机驱动:由于其优良的耐压能力和抗浪涌电流能力,适合用于电机驱动。
    - 电动汽车充电系统:适用于需要高功率密度和高可靠性应用场景。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,应注意散热管理以避免过热。
    - 配合合适的栅极驱动电路以充分利用低栅极电荷的优势。

    兼容性和支持


    - 兼容性:KHB7D5N60F1 与其他常见的 N-Channel MOSFET 管脚兼容,方便替换和升级现有设计。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热 | 加强散热措施,使用更大散热片或风扇。 |
    | 高频操作时表现不稳定 | 使用合适的滤波器和去耦电容,以减小纹波和噪声。 |
    | 寿命短 | 检查是否超过最大额定值使用,合理分配负载和冷却。 |

    总结和推荐


    KHB7D5N60F1 作为一款高性能 N-Channel 650V 功率 MOSFET,在高功率密度和高可靠性要求的应用中表现出色。其低栅极电荷、优异的耐压能力和增强的耐用性使其成为多种工业应用的理想选择。总体而言,强烈推荐使用 KHB7D5N60F1 在需要高效率和高可靠性的场合。
    联系服务热线 400-655-8788 获取更多详细信息和支持。

KHB7D5N60F1-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 4A
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KHB7D5N60F1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KHB7D5N60F1-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KHB7D5N60F1-VB KHB7D5N60F1-VB数据手册

KHB7D5N60F1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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