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TK40S10K3Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,45A,RDS(ON),18mΩ@10V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: TK40S10K3Z-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TK40S10K3Z-VB

TK40S10K3Z-VB概述

    TK40S10K3Z N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    TK40S10K3Z 是一种 N-通道沟槽式场效应晶体管(TrenchFET® Power MOSFET),适用于多种电子设备。这款 MOSFET 具有较低的导通电阻和快速开关特性,使其非常适合用于电源转换和电机控制等领域。它的主要应用包括初级侧开关和隔离式直流-直流变换器。

    2. 技术参数


    以下是 TK40S10K3Z 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 100 | - | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 2.5 | 5 | - | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.0185 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 2400 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 230 | - | pF |
    | 门电荷 | Qg | - | 38 | - | nC |
    | 门极电阻 | Rg | 1.6 | 2.5 | - | Ω |
    | 单脉冲能量 | EAS | - | 101 | - | mJ |
    | 连续功率损耗 | PD | - | 136.4 | - | W |

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽式设计,提高了电流处理能力和效率。
    - 全面测试:100% 的栅极电阻和 UIS 测试,确保产品质量。
    - 低导通电阻:典型值为 0.0185 Ω,降低了能耗。
    - 快速开关特性:适合高频应用,减小了开关损耗。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:该 MOSFET 广泛应用于隔离式直流-直流变换器,例如通信电源和工业控制系统。
    - 使用建议:为了最大限度地发挥其性能,建议将 MOSFET 安装在具有良好热管理的 PCB 上,并遵循厂商推荐的电气连接方式。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该 MOSFET 适用于各种标准封装,易于与其他电子元器件集成。
    - 支持:制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括设计指南和故障排查工具,以帮助用户充分发挥其潜力。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:安装过程中出现焊接不良。
    - 解决方案:使用适当的焊接温度和时间进行焊接,并确保焊接面清洁。

    - 问题 2:开关速度慢。
    - 解决方案:检查电路布局,确保所有电容和电阻匹配,并使用合适的驱动信号。

    7. 总结和推荐


    综上所述,TK40S10K3Z N-Channel 100-V MOSFET 是一款高效且可靠的产品,适用于多种高要求的应用场合。其低导通电阻和快速开关特性使其在电源管理和电机控制等领域具有显著优势。强烈推荐此产品用于需要高性能和高可靠性的设计项目中。

TK40S10K3Z-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 45A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 10V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

TK40S10K3Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TK40S10K3Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TK40S10K3Z-VB TK40S10K3Z-VB数据手册

TK40S10K3Z-VB封装设计

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