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K4120LS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K4120LS-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4120LS-VB

K4120LS-VB概述

    K4120LS-VB 650V N-Channel Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K4120LS-VB 是一款适用于高压应用的 N-Channel MOSFET,最大耐压为650V(D-S)。这种器件主要用于高能效电源转换和控制电路,包括服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)以及照明系统如高强度放电灯(HID)和荧光灯照明系统。工业应用中,它同样具有广泛的用途。

    2. 技术参数


    K4120LS-VB的主要技术规格如下:
    - 最大漏源电压(VDS):650V
    - 最大连续漏极电流(ID):12A @ TC = 25°C,9.4A @ TC = 100°C
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):45A
    - 阻断电压斜率(dV/dt):15V/ns
    - 有效输出电容(Co(er)):63pF
    - 总栅极电荷(Qg):43nC
    - 栅源电荷(Qgs):5nC
    - 栅漏电荷(Qgd):22nC
    - 导通电阻(RDS(on)):10V栅源电压下的值
    - 动态参数:
    - 输入电容(Ciss):未指定具体数值,但可测试得到
    - 输出电容(Coss):未指定具体数值,但可测试得到
    - 反向传输电容(Crss):未指定具体数值,但可测试得到
    - 热阻参数:
    - 最大结到壳体热阻(RthJC):0.8°C/W
    - 最大结到环境热阻(RthJA):60°C/W

    3. 产品特点和优势


    K4120LS-VB 的核心特点是低功耗设计,具有较低的导通电阻(Ron)和栅极电荷(Qg),从而显著降低了在开关和导通时的能量损耗。其超低的栅极电荷进一步增强了整体能效。此外,这款MOSFET在多次重复脉冲条件下表现出色,可以承受高达45A的峰值电流。

    4. 应用案例和使用建议


    K4120LS-VB 在服务器和电信电源供应系统中的应用非常广泛,例如用于PFC电路中提高电源效率。在工业应用中,它的高可靠性和低功耗特性使其成为照明和驱动电路的理想选择。使用建议方面,设计人员需要特别注意散热管理,因为其高功率密度可能导致过热问题。建议使用良好的散热片或者采用风冷方式来改善散热效果。

    5. 兼容性和支持


    该产品设计用于与各种高压电力转换和控制电路相兼容,包括但不限于PFC电路和开关模式电源供应(SMPS)。制造商提供了详尽的技术支持和维护文档,包括详细的热管理指南和故障排除手册。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET发热严重
    - 解决方案: 使用散热片增强散热,降低工作温度,避免长时间满载运行。
    - 问题:漏电流过高
    - 解决方案: 检查电路板上的寄生电容和电感,确保正确的焊接和安装工艺。
    - 问题:开关频率不稳定
    - 解决方案: 优化驱动信号,确保稳定的门极电压,并且考虑减少外部寄生效应的影响。

    7. 总结和推荐


    综上所述,K4120LS-VB 是一款专为高效率电源转换和控制而设计的高性能N-Channel MOSFET。其卓越的电气性能和高可靠性使其在多个应用领域表现出色,尤其是在需要严格控制能效的应用环境中。鉴于其多功能性和良好的市场反馈,我们强烈推荐该产品给需要高性能MOSFET的客户。

K4120LS-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 12A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4120LS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4120LS-VB数据手册

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K4120LS-VB封装设计

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