处理中...

首页  >  产品百科  >  K3575-Z-VB

K3575-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: K3575-Z-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3575-Z-VB

K3575-Z-VB概述

    # K3575-Z-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术概述

    1. 产品简介


    基本介绍
    K3575-Z-VB 是一款由 VBsemi 推出的 N 沟道增强型 30V(D-S)功率 MOSFET,采用先进的 TrenchFET 技术制造。此器件具有高可靠性、低导通电阻(RDS(on))和良好的热性能,在多种应用领域表现出色。广泛应用于服务器、DC/DC 转换器及 OR-ing 等关键电路中。
    主要功能
    - 高效率的电源转换
    - 支持高频率开关操作
    - 优异的动态特性,适用于快速开关电路设计
    应用领域
    - 数据中心和服务器电源管理系统
    - 通信设备中的高效电源转换模块
    - 便携式电子产品中的 DC/DC 转换应用

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | 30 V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 V |
    | 持续漏极电流(TJ=175°C)| ID | 120 A |
    | 连续导通电阻(VGS=10V)| RDS(on) 0.003 Ω |
    | 输入电容(VDS=15V, VGS=0V) | Ciss 31 pF |
    | 输出电容(VDS=15V, VGS=0V) | Coss 725 pF |
    | 反向转移电容 | Crss 370 pF |
    工作环境
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 结温最高:+175°C
    - 热阻:RthJA = 32°C/W(典型值),RthJC = 0.5°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高性能 TrenchFET 技术:提升开关速度的同时降低了导通损耗,特别适合高频应用。
    - 零生产缺陷测试:所有批次都经过 Rg 和 UIS 测试验证,确保产品质量一致性。
    - 环保合规:符合 RoHS 标准,无卤素材料,满足现代电子产品绿色要求。
    - 优越的热性能:优秀的散热能力,可有效延长产品寿命。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用
    - OR-ing 场景:在多个电源并联时,利用该器件实现无缝切换,防止反向电流流动。
    - 服务器电源模块:作为主控 MOSFET 使用,提高系统整体能效。
    - DC/DC 转换器:用于降压或升压场合,可实现高精度电压调节。
    使用建议
    - 在高温环境下运行时,建议采取外部散热措施以维持最佳性能。
    - 根据负载需求合理选择合适的栅极驱动电阻(Rg),以减少开关损耗。
    - 对于高频应用,需注意匹配输入输出电容值,避免谐振效应。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - K3575-Z-VB 的封装为 TO-220AB,易于与现有 PCB 板布局兼容。
    - 其尺寸和引脚排列符合行业标准,可直接替换同系列其他型号。
    支持服务
    - 客户技术支持热线:400-655-8788
    - 官方网站提供详尽的技术文档和设计指南。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关损耗过大 | 减少栅极驱动电阻 Rg 或优化驱动信号 |
    | 温度过高 | 增加散热片面积或改进散热方案 |
    | 震荡现象明显 | 调整输入输出电容值或添加缓冲电路 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    K3575-Z-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道功率 MOSFET,凭借其卓越的开关性能、低导通电阻和强大的热管理能力,成为服务器电源和数据中心供电系统的理想选择。此外,其环保合规性和完善的售后服务进一步提升了市场竞争力。
    推荐结论
    我们强烈推荐 K3575-Z-VB 用于需要高效率、高频率工作的应用场景。无论是对成本敏感还是对性能要求苛刻的设计,这款器件都能完美胜任。如果您正在寻找一款兼具性价比和技术优势的产品,K3575-Z-VB 是一个非常值得考虑的选择。
    联系方式:
    - 官网:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)
    - 服务热线:400-655-8788

K3575-Z-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 120A
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3575-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3575-Z-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3575-Z-VB K3575-Z-VB数据手册

K3575-Z-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504