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K3767-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K3767-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3767-VB

K3767-VB概述

    K3767-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K3767-VB 是一款高性能的N-通道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于650V的电压环境。其主要功能包括高效开关和电流控制,广泛应用于电源管理、逆变器、电机驱动和照明系统等领域。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术规格和性能参数:
    - 最大栅源电压 (VGS): ±30V
    - 连续漏极电流 (ID): 1.28A(在100°C时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 8A
    - 热阻 (RthJA): 65°C/W
    - 最大结温 (Tj, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 击穿电压 (VDS): 650V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 4.0Ω(在VGS = 10V时)
    - 输入电容 (Ciss): 1000pF
    - 输出电容 (Coss): 45pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 11nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 2.3nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 5.2nC

    3. 产品特点和优势


    K3767-VB 具备以下独特功能和优势:
    - 低栅极电荷 (Qg): 降低驱动需求,简化电路设计。
    - 改进的栅极和动态dV/dt坚固性: 增强了可靠性。
    - 完全标定的电容和雪崩电压及电流: 确保精确度。
    - 符合RoHS指令: 适合环保应用。
    - 热稳定性: 高温下仍能保持良好的性能。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源管理系统: 在高压环境中进行高效的开关操作。
    - 逆变器: 用于太阳能电池板和风力发电机的能量转换。
    - 电机驱动: 用于电动机的控制和调速。
    - 照明系统: 在LED驱动器中实现高效能源转换。
    使用建议:
    - 散热设计: 由于高功耗特性,建议采用有效的散热设计,如增加散热片或使用散热器。
    - 驱动电路: 使用适当的栅极驱动电路以避免过压和欠压。
    - 保护措施: 在应用中加入过流和过压保护电路,以防止损坏。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - RoHS合规性: 适用于需要无铅和无卤化物材料的应用。
    - 与不同电压水平的兼容性: 支持多种电压平台下的应用。
    支持:
    - 客户支持: 提供详细的技术文档和应用指南。
    - 售后服务: 包括产品质量保证和故障排除支持。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 过热问题: 由于高功耗可能导致温度过高。
    - 驱动不稳定: 可能导致开关频率不稳定。
    解决方案:
    - 散热处理: 添加散热片或散热器。
    - 优化驱动电路: 调整驱动电压和电流以确保稳定运行。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 主要优点: 高可靠性和稳定性,良好的热管理能力。
    - 推荐使用: K3767-VB 在高压和高频应用中表现出色,适合于各种电源管理和电机控制应用。
    通过以上分析,我们强烈推荐使用K3767-VB N-通道MOSFET,它不仅具备卓越的性能和稳定性,还能满足不同应用环境的需求。

K3767-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 2A
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3767-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3767-VB数据手册

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K3767-VB封装设计

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