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U2N80HA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: U2N80HA-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) U2N80HA-VB

U2N80HA-VB概述

    U2N80HA MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET)
    主要功能:U2N80HA 是一种高性能的功率 MOSFET,具备低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷(Qg)等特点,适用于多种高功率和高频应用场景。
    应用领域:
    - 服务器和电信电源:服务器电源、电信设备电源。
    - 开关电源(SMPS):用于高效率电源转换。
    - 功率因数校正电源(PFC):用于改善交流电源的功率因数。
    - 照明:适用于高强度放电灯(HID)和荧光灯的控制。
    - 工业应用:焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器及可再生能源系统如太阳能光伏逆变器等。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 技术规格 |

    | 漏源击穿电压(VDS) | 800V |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) | 2.0 ~ 4.0 V |
    | 栅源漏电流(IGSS) | VGS = ± 20V 时:± 100 nA |
    | 无栅压漏电流(IDSS) | VDS = 800V 时:1 μA |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 2.38 Ω(VGS = 10V,ID = 1.0A)|
    | 输入电容(Ciss) | 315 pF |
    | 输出电容(Coss) | 20 pF |
    | 反向传输电容(Crss) | -6 pF |
    | 栅源电荷(Qg) | 9.8 nC(VGS = 10V,ID = 1.0A,VDS = 480V)|
    | 栅源电荷(Qgs) | 2.4 nC |
    | 栅漏电荷(Qgd) | 3.9 nC |
    | 绝对最大重复脉冲电流(IDM)| 5 A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | 14 mJ |
    | 最大功率耗散(PD) | 62.5 W |

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:总栅极电荷(Qg)仅为9.8 nC(典型值),可显著减少开关损耗,提高效率。
    - 低输入电容:输入电容(Ciss)为315 pF,有助于降低栅极充电时间,提升开关速度。
    - 超低雪崩能量:单脉冲雪崩能量(EAS)高达14 mJ,确保在恶劣环境中稳定运行。
    - 高可靠性:能够在-55°C到+150°C的宽温度范围内工作,具有出色的温度适应性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:利用其高可靠性和低损耗特性,适合在高温环境下长期运行。
    - 开关电源(SMPS):通过其低栅极电荷和输入电容特性,可以实现高效的功率转换,减少发热。
    - 照明应用:特别适用于高强度放电灯(HID)和荧光灯的控制,提供稳定的电流输出。
    使用建议:
    - 在设计应用电路时,应考虑选择合适的驱动电阻(Rg),以减少开关过程中的振荡和过冲。
    - 确保散热系统的有效性,特别是对于高功率应用,以防止由于过热导致的性能下降。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与大多数标准SMPS和PFC拓扑结构兼容,适用于各种电路设计。
    - 支持:台湾VBsemi公司提供详尽的技术文档和在线支持,帮助用户更好地理解和应用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:产品在高温下无法正常工作。
    - 解决方案:确保散热系统的有效性,适当增加散热片或采用强制风冷措施。

    - 问题2:产品在高频率下开关损耗过高。
    - 解决方案:选择较低栅极电荷的产品型号,优化驱动电阻(Rg)的选择,以减少开关损耗。

    7. 总结和推荐


    总结:
    U2N80HA MOSFET凭借其卓越的性能参数,包括低栅极电荷和输入电容,以及出色的高温稳定性,使其成为众多高功率应用的理想选择。它特别适用于需要高效能和可靠性的场景,如服务器和电信电源、开关电源和照明系统。
    推荐:
    鉴于其出色的性能和广泛应用的适用性,强烈推荐在需要高效能、高可靠性且适用于宽温度范围的功率电子应用中使用U2N80HA MOSFET。

U2N80HA-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.6Ω@ 10V
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 800V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

U2N80HA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

U2N80HA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 U2N80HA-VB U2N80HA-VB数据手册

U2N80HA-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.6649
100+ ¥ 4.3194
500+ ¥ 3.9738
4000+ ¥ 3.801
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