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VS8066ATD-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n推出的单极性 N 型沟道 MOSFET,具有80V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 m?,在VGS=10V时为6 m?。该器件的最大漏极电流为120A,采用先进的沟道 MOSFET 技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO263,适用于各种应用场合。
供应商型号: VS8066ATD-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VS8066ATD-VB

VS8066ATD-VB概述


    产品简介


    VS8066ATD是一款由VBsemi推出的高性能N通道功率MOSFET。它基于ThunderFET®技术,具有极高的可靠性和卓越的热管理能力。该器件能够在高达175°C的结温下稳定运行,确保在恶劣环境下的长期可靠性。适用于多种应用领域,包括电源管理、电机控制、汽车电子、工业自动化等。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 80 V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 持续漏电流(TJ=150°C) | ID 120 A |
    | 脉冲漏电流(t=100μs) | IDM 225 A |
    | 击穿能量 | EAS 125 mJ |
    | 最大功耗(TC=25°C) | PD 370 W |
    | 操作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 175 | °C |
    | 结至环境热阻率(PCB安装)| RthJA 40 °C/W |

    产品特点和优势


    VS8066ATD具备多项显著的技术优势,使其在市场上脱颖而出:
    1. 高耐热性能:能够承受高达175°C的工作温度,满足严苛环境需求。
    2. 超低导通电阻:RDS(on)最低可达6mΩ,提供高效的电能转换效率。
    3. 安全性能优越:通过了全部Rg和UIS测试,确保产品的长期稳定性。
    4. 快速开关速度:出色的动态特性,适合高频应用场合。

    应用案例和使用建议


    VS8066ATD广泛应用于各类功率变换电路中。例如,在开关电源设计中,可以作为主控开关管使用,有效降低系统整体功耗。此外,在电机驱动领域,它的高效能表现也使其成为理想选择。为了更好地发挥其性能,建议在布板时尽量减少寄生电感和电容的影响,同时合理布局散热片以提升散热效果。

    兼容性和支持


    该产品与主流PCB设计标准完全兼容,可直接替换同规格产品进行升级换代。VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括但不限于样品申请、技术支持热线(400-655-8788)以及在线社区交流平台,帮助客户快速解决问题并加速产品研发进程。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 调整栅极驱动电阻至最佳值 |
    | 过热保护失效 | 确保良好的散热设计 |
    | 频繁出现过流故障 | 检查电路是否存在短路或负载异常 |

    总结和推荐


    综上所述,VS8066ATD凭借其强大的技术实力和灵活的应用场景,无疑是一款值得信赖的产品。无论是从性能指标还是性价比角度来看,它都表现出色。因此,我们强烈推荐这一款产品给需要高性能功率MOSFET解决方案的工程师们。

VS8066ATD-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,10mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 80V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 120A
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VS8066ATD-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VS8066ATD-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VS8066ATD-VB VS8066ATD-VB数据手册

VS8066ATD-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
800+ ¥ 4.1395
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