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K1351-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K1351-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1351-VB

K1351-VB概述

    N-Channel Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    这款N-Channel Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是专为高效率电力转换设计的产品。它具备低导通电阻(RDS(on))和超低栅极电荷(Qg),适用于多种应用场景,如服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)和照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯照明)。此外,工业领域也有广泛的应用。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 650 | V |
    | 栅源电压 ±30 V |
    | 持续漏电流(TJ=150℃) 25 | A |
    | 脉冲漏电流 250 | A |
    | 最大功耗 200 | W |
    | 热阻抗(结到环境) 63 | °C/W |
    | 热阻抗(结到外壳) 0.6 | °C/W |
    | 静态漏源击穿电压 | 650 V |
    | 栅源阈值电压 | 2.5 5 | V |
    | 零栅电压漏电流 10 | μA |
    | 导通电阻 1 Ω |
    | 输入电容 | pF |
    | 输出电容 | pF |
    | 反向转移电容 | pF |
    | 有效输出电容(能量相关)
    | 有效输出电容(时间相关)
    | 总栅极电荷 16 | nC |
    | 栅源电荷 | nC |
    | 栅极驱动电阻 3.5 | Ω |

    3. 产品特点和优势


    - 低损耗:这款MOSFET具有极低的导通电阻和超低的栅极电荷,减少了开关损耗和传导损耗。
    - 快速响应:由于超低的输入电容,其开关速度非常快,适合高频应用。
    - 高可靠性:重复脉冲能力和单脉冲雪崩能量使得该产品在恶劣环境下也能稳定运行。
    - 多功能适用性:广泛的电压范围和电流能力使其适用于各种电力转换场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:用于电源模块中,减少损耗并提高效率。
    - 开关电源:利用其低导通电阻和快速开关性能,提升整体效率。
    - 工业应用:适用于电机控制、焊接设备和其他需要高性能电力转换的场景。
    使用建议:
    - 请确保电源电压不超过最大额定值。
    - 在高功率应用中,建议采用散热器来降低热应力。
    - 使用时应注意避免过高的温度上升,以防止性能下降。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品适用于多种电路设计,与多数常见的开关电源和驱动电路兼容。
    - 支持:厂商提供详细的技术文档和技术支持服务,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:开关频率过高导致发热严重。
    解决方法:降低开关频率,增加散热措施。
    2. 问题:栅极电荷不稳定。
    解决方法:检查驱动电路设计,确保正确的门极电阻和电容配置。
    3. 问题:长期使用后性能下降。
    解决方法:定期检测,根据实际情况调整工作条件。

    7. 总结和推荐


    总的来说,这款N-Channel Power MOSFET是一款非常适合在高效电力转换应用中的产品。其优秀的性能指标和强大的适用性使它在市场上极具竞争力。推荐在需要高效率和高可靠性的应用场景中使用。
    希望上述内容对您有所帮助。如需进一步了解或有任何疑问,请随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

K1351-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
配置 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1351-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1351-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1351-VB K1351-VB数据手册

K1351-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
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500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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