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WP44801-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-6A,RDS(ON),40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8\n一款单P沟道场效应晶体管(FET),用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。
供应商型号: WP44801-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WP44801-VB

WP44801-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET是一种P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET),属于卤素-free,符合IEC 61249-2-21定义及RoHS指令2002/95/EC。这款MOSFET具有低导通电阻、高电流承载能力和出色的热性能,适用于多种电路应用,如电源转换、电机驱动和开关控制等领域。

    技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 最大耐压(VDS) | 30 V |
    | 最大栅极-源极电压(VGS) | ± 20 V |
    | 持续漏极电流(TJ = 150 °C) | - 5.8 A (TA = 25 °C) |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | - 30 A |
    | 最大功率耗散(TA = 25 °C) | 2.5 W |
    | 工作结温和存储温度范围 | - 55 至 150 °C |
    | 静态门阈值电压(VGS(th)) | - 0.7 至 - 2.0 V |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:在不同栅极电压下的导通电阻分别为0.033Ω(VGS = -10 V)、0.043Ω(VGS = -6 V)和0.056Ω(VGS = -4.5 V),确保高效能运行。
    2. 高可靠性:通过设计保证卤素-free、符合RoHS标准,确保环境友好。
    3. 优良的热性能:绝对最大额定值下具有良好的热稳定性,保证长期可靠运行。
    4. 高电流承载能力:可承受高达-30 A的脉冲漏极电流,适合高电流应用场合。

    应用案例和使用建议


    此款MOSFET广泛应用于电源转换器、电机驱动器和开关控制电路。例如,在电源转换器中,这款MOSFET可以用于降压或升压转换,从而实现高效的能量转换。使用建议如下:
    1. 散热管理:由于MOSFET在工作时会发热,需要合理安排散热措施,如增加散热片或风扇以提高散热效果。
    2. 电路布局:建议在PCB设计中将MOSFET放置于靠近电源的位置,并确保良好的接地以减少噪声干扰。
    3. 输入输出保护:在使用过程中应注意添加适当的输入输出保护措施,以防止过压或过流损坏MOSFET。

    兼容性和支持


    本产品兼容各种标准的表面贴装技术(SMT),且已在多种应用环境中验证过其兼容性。制造商提供详细的技术文档和支持服务,包括应用指南、故障排除手册和在线技术支持。此外,还可以根据客户需求提供定制化服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不良导致过温现象 | 加强散热措施,如加装散热片或风扇 |
    | 漏电现象 | 检查电路连接是否正确,确保良好接地 |
    | 无法正常开关 | 检查输入电压是否符合要求,重新检查电路连接 |

    总结和推荐


    综上所述,这款P-Channel 30-V MOSFET凭借其低导通电阻、高可靠性、优异的热性能和高电流承载能力,非常适合在多种应用中使用。对于追求高性能、高可靠性的电路设计,推荐使用这款MOSFET。如果您在选型过程中有任何疑问或需要更多技术支持,请联系我们的客服热线400-655-8788。

WP44801-VB参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@10V,54mΩ@4.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 6A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

WP44801-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WP44801-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WP44801-VB WP44801-VB数据手册

WP44801-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
30+ ¥ 0.9725
100+ ¥ 0.9004
500+ ¥ 0.8644
4000+ ¥ 0.8284
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