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K2902-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,70A,RDS(ON),10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K2902-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2902-01MR-VB

K2902-01MR-VB概述

    K2902-01MR-VB N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    K2902-01MR-VB 是一款来自 VBsemi 的 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET。它采用 TrenchFET® 技术,提供卓越的开关性能和热稳定性。这款 MOSFET 主要应用于电源管理、电机驱动、LED 照明和通用开关电路等领域。其高可靠性使其成为需要长时间运行和高温度耐受的应用的理想选择。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 最大栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 持续漏极电流 (TC = 25 °C): 70 A
    - 漏极-源极击穿电压 (VDS): 60 V
    - 正向二极管压降 (VSD): 1 V @ 20 A, VGS = 0 V
    - 热阻抗:
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 15 °C/W (瞬态)、40 °C/W (稳态)
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 0.85 °C/W
    - 其他电气特性:
    - 门限电压 (VGS(th)): 1-3 V @ ID = 250 µA
    - 反向恢复时间 (trr): 45-100 ns @ IF = 20 A, di/dt = 100 A/µs

    产品特点和优势


    K2902-01MR-VB MOSFET 具有以下显著特点:
    - 高工作温度范围:最高可承受 175 °C 的结温,适用于恶劣环境下的应用。
    - 低导通电阻:在不同条件下的典型导通电阻仅为 0.010 Ω @ VGS = 10 V, ID = 20 A。
    - 优秀的开关特性:高动态电容使得其在高频应用中表现优异。
    - 封装稳固:采用 TO-220 FULLPAK 封装,提供了良好的散热能力和物理强度。

    应用案例和使用建议


    K2902-01MR-VB MOSFET 可广泛应用于各类电力转换和控制场合。例如,在电动工具中作为电机驱动器,或在开关电源中作为同步整流器件。在使用过程中,应注意散热设计以避免因过热导致的性能下降。对于长期运行的应用,建议采用外部散热措施如散热片或散热器,确保器件的工作温度不超出最大额定值。

    兼容性和支持


    K2902-01MR-VB MOSFET 与大多数标准电源电路兼容,可以方便地替换同类产品。制造商提供了详尽的技术支持文档和客户咨询服务,确保用户能够充分利用其特性。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何判断器件已损坏?
    - A: 观察工作时的温度是否超出额定范围,检查是否有明显的机械损伤或烧蚀痕迹。

    - Q: 在高频率下使用时,如何减少电磁干扰?
    - A: 使用低感路设计,并在电源端添加适当的滤波器来减少噪声。

    总结和推荐


    K2902-01MR-VB N-Channel 60-V MOSFET 在可靠性和效率方面表现出色,特别适合需要高功率密度和恶劣环境适应性的应用。通过仔细的设计和正确的使用方法,该器件能发挥最佳性能。因此,强烈推荐用于电源管理和电机驱动等应用中。
    服务热线:400-655-8788
    以上是对 K2902-01MR-VB MOSFET 的全面介绍,希望能为您的项目选择提供有益的参考。

K2902-01MR-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 70A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,12mΩ@4.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2902-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2902-01MR-VB数据手册

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K2902-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.5919
1000+ ¥ 2.4839
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