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K2524-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: K2524-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2524-01MR-VB

K2524-01MR-VB概述

    # K2524-01MR-VB Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本描述
    K2524-01MR-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET。这种器件主要用于电力转换系统中,具备高效率、低损耗的特点。它具有超低栅极电荷(Qg)和低输入电容(Ciss),能够在多种应用场景中实现高效的开关操作。
    主要功能
    - 低栅极电荷(Qg):减少开关损耗,提高效率。
    - 低输入电容(Ciss):降低驱动功率需求,简化电路设计。
    - 低导通电阻(RDS(on)):减少导通损耗。
    - 抗雪崩能力:具备重复脉冲雪崩能量评级。
    应用领域
    - 服务器和电信电源供应:用于数据中心和电信基础设施中。
    - 开关模式电源(SMPS):广泛应用于各类电源转换设备。
    - 功率因数校正电源(PFC):提高能源效率。
    - 照明系统:适用于高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器。
    - 工业应用:适用于各种工业控制系统和电机驱动器。

    技术参数


    静态特性
    - 最大漏源电压(VDS):650V @ TJ max.
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):≤ 0.8Ω @ VGS = 10V, TJ = 25°C
    - 总栅极电荷(Qg):≤ 10nC @ VGS = 10V, ID = 4A, VDS = 520V
    - 栅极-源极电荷(Qgs):≤ 4.0nC @ VGS = 10V, ID = 4A, VDS = 520V
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):≤ 5.4nC @ VGS = 10V, ID = 4A, VDS = 520V
    动态特性
    - 输入电容(Ciss):未提供典型值,但测试条件为VGS = 0V, VDS = 100V, f = 1MHz
    - 输出电容(Coss):未提供典型值
    - 反向传输电容(Crss):未提供典型值
    - 关断延迟时间(td(off)):未提供典型值
    极限参数
    - 最大漏源电压(VDS):650V
    - 最大栅源电压(VGS):±30V
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C):TC = 100°C时的典型值为178A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):82mJ
    - 最大功耗(PD):未提供典型值
    - 热阻(RthJA):最大值为63°C/W
    - 封装:TO-220 FULLPAK

    产品特点和优势


    独特功能
    - 低栅极电荷(Qg):降低了开关损耗,提升了工作效率。
    - 低输入电容(Ciss):减少了驱动器的需求,简化了电路设计。
    - 高可靠性:具备雪崩能量评级,确保了长期稳定的工作。
    市场竞争力
    K2524-01MR-VB 具备出色的开关特性和高效能,非常适合需要高可靠性和高效率的应用场合。它的低导通电阻和低栅极电荷使其在众多竞争产品中脱颖而出。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 电信基础设施:用于服务器电源管理系统,提高系统的整体效率。
    - 荧光灯镇流器:降低能耗并提高灯管的寿命。
    - 工业控制:适用于各种电机驱动和开关电源系统。
    使用建议
    - 在使用时需注意电路布局以减少寄生电感的影响。
    - 确保良好的散热措施,避免过热损坏。
    - 根据具体应用需求选择合适的栅极驱动器。

    兼容性和支持


    兼容性
    K2524-01MR-VB 与其他标准电路设计兼容,易于集成到现有的系统中。
    支持
    VBsemi 提供全方位的技术支持和服务,包括详细的用户手册、应用指南和售后服务,确保客户能够充分发挥产品的性能。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决办法
    1. 问题:MOSFET 过热。
    - 解决办法:检查散热措施,确保足够的空气流通和散热片使用。
    2. 问题:MOSFET 损坏。
    - 解决办法:确认电路中的过压保护措施,确保电压不超过额定值。
    3. 问题:电路运行不稳定。
    - 解决办法:检查电路设计,特别是电容值的选择,确保符合应用需求。

    总结和推荐


    综合评估
    K2524-01MR-VB 在功率MOSFET市场中表现优异,具备低栅极电荷、低输入电容和高可靠性等特点,适合广泛的应用场景。其在提升系统效率和稳定性方面表现出色,值得推荐。
    推荐使用
    我们强烈推荐K2524-01MR-VB用于需要高效率和高可靠性的应用场合。这款器件不仅在设计上具有先进性,而且通过VBsemi公司提供的全面技术支持,可以确保用户轻松使用并获得最佳性能。

K2524-01MR-VB参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 10A
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2524-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2524-01MR-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2524-01MR-VB K2524-01MR-VB数据手册

K2524-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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