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K3316-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K3316-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3316-VB

K3316-VB概述


    产品简介


    产品类型:
    K3316-VB是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),额定电压为650伏特,适用于高压电力转换和驱动应用。
    主要功能:
    - 低门极电荷(Qg)有助于简化驱动需求。
    - 改善的门极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性。
    - 全面的电容和雪崩电压及电流特征化。
    - 符合RoHS指令2002/95/EC,环保友好。
    应用领域:
    - 工业控制设备
    - 电源转换器
    - 高频开关电路
    - 电机驱动系统
    - 新能源设备

    技术参数


    绝对最大额定值:
    - 栅源电压(VGS):±30V
    - 漏源电压(VDS):650V
    - 连续漏极电流(TC=25℃,VGS=10V):3.8A
    - 最大功率耗散(TC=25℃):30W
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):325mJ
    - 峰值二极管恢复电压(dV/dt):2.8V/ns
    - 最大工作结温(TJ):-55℃至+150℃
    - 储存温度范围(Tstg):-55℃至+150℃
    典型电气特性:
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.0V至4.0V
    - 零门电压漏极电流(IDSS):-25µA
    - 导通电阻(RDS(on),VGS=10V):2.5Ω
    - 输入电容(Ciss):80pF
    - 输出电容(Coss):1912pF(VDS=0V至520V)
    - 有效输出电容(Coss eff.):84pF
    - 总栅电荷(Qg):48nC
    - 栅源电荷(Qgs):12nC
    - 栅漏电荷(Qgd):19nC
    - 开启延迟时间(td(on)):1ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):34ns

    产品特点和优势


    - 低门极电荷(Qg): 简化驱动要求,减少系统复杂性。
    - 增强鲁棒性: 通过改善门极、雪崩和动态dV/dt的鲁棒性,确保长时间稳定运行。
    - 全面的特性化: 全面的电容和雪崩电压及电流特征化,提供精确的电气参数。
    - 环保材料: 符合RoHS标准,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在高频开关电源中作为开关元件。
    - 用于工业控制系统中的电机驱动。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时应注意散热设计,以避免因热累积导致器件失效。
    - 针对高频率应用,考虑优化PCB布局以减少寄生电感,提高系统效率。
    - 在选择驱动电路时应考虑低泄漏电流特性,以提高系统的可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与多种标准电路板兼容,适合广泛的应用。
    - 支持和服务: 厂商提供全面的技术支持,包括详细的安装指南和故障排查手册。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备在启动时出现异常发热现象。
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,适当增加散热片或使用更高效的冷却方式。
    2. 问题: 长时间工作后发现漏电流增大。
    - 解决方案: 定期检查器件状态,如发现损坏及时更换。同时检查驱动电路是否有异常。
    3. 问题: 设备在高负载下出现不稳定现象。
    - 解决方案: 检查负载分配是否均衡,确保每个器件都在其额定范围内工作。

    总结和推荐


    K3316-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET,适用于各种高压电力转换和驱动应用。其低门极电荷、良好的鲁棒性和全面的电气特性使其在市场上具有显著的竞争优势。建议用户在设计和使用过程中严格按照厂商提供的指导进行操作,以充分发挥其性能优势。综合来看,K3316-VB是一款值得推荐的产品。

K3316-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 4A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3316-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3316-VB数据手册

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K3316-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
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500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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