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UT4392-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: UT4392-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT4392-S08-R-VB

UT4392-S08-R-VB概述

    UT4392-S08-R N-Channel MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    UT4392-S08-R 是一款N沟道30V(D-S)MOSFET,采用表面贴装技术(SO-8封装)。这款MOSFET具备高效的高侧同步整流操作能力,适用于笔记本CPU核心供电系统中的高侧开关。主要特点是无卤素材料,能够确保环保且可靠性高。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS): 30V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在TC = 25°C时为13A
    - 在TC = 70°C时为7A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 45A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 在TC = 25°C时为4.1W
    - 在TC = 70°C时为2.5W
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 1.0V至3.0V
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): ±100nA (VDS = 0V, VGS = ±20V)
    - 零栅电压漏电流 (IDSS): 1μA (VDS = 30V, VGS = 0V)
    - 栅源电荷 (Qgs): 2.5nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 2.3nC
    - 输入电容 (Ciss): 800pF (VDS = 15V, VGS = 0V)
    - 输出电容 (Coss): 165pF
    - 反向传输电容 (Crss): 73pF
    - 关断延迟时间 (td(off)): 16ns 至 22ns
    - 开通延迟时间 (td(on)): 8ns 至 23ns

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素设计: 确保环保并符合RoHS标准。
    - 优化的高侧同步整流操作: 适合笔记本电脑CPU核心供电。
    - 100%测试: 包括Rg和UIS测试,确保产品的一致性和可靠性。
    - 热阻性能: 具备良好的热稳定性和散热性能。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景: 主要应用于笔记本电脑CPU核心供电系统的高侧开关。
    - 使用建议:
    - 由于其高侧开关特性,建议在电路设计中尽量减少寄生效应,如寄生电感和电容的影响。
    - 针对高功率应用,建议使用适当的散热措施,以防止过热导致损坏。


    5. 兼容性和支持


    - 封装形式: SO-8封装,适用于各种主板和模块。
    - 支持: 提供技术文档和支持服务,以帮助用户更好地理解和应用此MOSFET。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 过载保护不足。
    - 解决方案: 使用外部限流电路来保护MOSFET免受过载。
    - 问题: 散热不良。
    - 解决方案: 使用合适的散热器或PCB设计以增加散热面积。
    - 问题: 开关频率过高引起损耗。
    - 解决方案: 减少开关频率或选择更低损耗的MOSFET型号。

    7. 总结和推荐


    UT4392-S08-R MOSFET凭借其优秀的性能和可靠的特性,特别适合于笔记本电脑和其他需要高效能、低功耗的高侧开关应用。其无卤素设计和卓越的热管理能力使得它在多种应用场景中具有很高的市场竞争力。强烈推荐使用此款MOSFET,尤其在需要高效率和可靠性的场合。

UT4392-S08-R-VB参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 11A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
Vgs-栅源极电压 15V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT4392-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT4392-S08-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT4392-S08-R-VB UT4392-S08-R-VB数据手册

UT4392-S08-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
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型号 价格(含增值税)
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