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UPA1856GR-9JG-E1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-5.2A,RDS(ON),33mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TSSOP8
供应商型号: UPA1856GR-9JG-E1-VB TSSOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1856GR-9JG-E1-VB

UPA1856GR-9JG-E1-VB概述

    # Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    产品类型
    Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种双通道、高电压耐受性的电子元器件。
    主要功能
    该产品采用TrenchFET®技术,提供出色的低导通电阻和高速开关能力,特别适用于负载开关和电池切换等领域。
    应用领域
    - 负载开关
    - 电池开关

    技术参数


    静态参数
    - 最大栅源电压(VGS):±20 V
    - 栅体漏电流(IGSS):±100 nA
    - 漏源电压(VDS):-30 V
    - 漏源开启电阻(RDS(on)):0.036 Ω @ VGS = -10 V, ID = -4.7 A;0.055 Ω @ VGS = -4.5 V, ID = -3.8 A
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):-1 µA
    - 前向跨导(gfs):14 S
    动态参数
    - 总栅极电荷(Qg):13~20 nC
    - 栅源电荷(Qgs):3 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):5.8 nC
    - 开启延时时间(td(on)):13~20 ns
    - 上升时间(tr):14~22 ns
    - 关闭延时时间(td(off)):52~80 ns
    - 下降时间(tf):26~40 ns
    绝对最大额定值
    - 最大漏源电压(VDS):-30 V
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C):-5.2 A(TA = 25 °C);-4.2 A(TA = 70 °C)
    - 最大功率耗散(TA = 25 °C):1.14 W;(TA = 70 °C):0.73 W
    - 操作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55 °C ~ 150 °C

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:通过设计保证的可靠性和严格的质量控制,确保长期稳定运行。
    2. 高性能:低导通电阻和高跨导特性,提供快速高效的开关性能。
    3. 广泛的工作温度范围:从-55 °C到150 °C,适合各种极端环境条件的应用。
    4. 低功耗:由于其低导通电阻,该器件可以显著降低能耗,提高效率。
    5. 兼容多种封装形式:易于集成到现有系统中,适用于各种电路设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该器件适用于需要高电压和高电流应用的场合,如电池管理系统、负载开关等。通过其低导通电阻和高跨导特性,可以在负载开关中实现高效稳定的电流控制。
    使用建议
    1. 选择合适的散热设计:在高电流工作条件下,应选择合适的散热片或散热系统以避免过热。
    2. 考虑驱动电路:为实现最佳性能,应选择合适的驱动电路以提供足够的栅极电压。
    3. 注意电磁干扰:在高频应用中,应采取措施减少电磁干扰,如使用屏蔽电缆和滤波器。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件可与其他标准电子元器件兼容,便于集成到现有系统中。
    - 支持和服务:VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持服务,以确保客户在使用过程中能够得到必要的帮助和指导。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何选择合适的散热系统?
    2. 在高频应用中,如何减少电磁干扰?
    解决方案
    1. 选择散热系统:根据工作条件下的最大功率耗散来选择合适尺寸的散热器。计算方法如下:
    \[
    R{\text{thJA}} = \frac{\Delta T}{PD}
    \]
    其中,\( \Delta T \)为温度差,\( PD \)为功率耗散。
    2. 减少电磁干扰:使用屏蔽电缆、安装滤波器,并保持电路走线尽可能短以减少干扰源。

    总结和推荐


    综合评估
    Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET具有出色的低导通电阻、高跨导特性和宽工作温度范围,非常适合用于负载开关和电池管理系统等应用。其高可靠性、低功耗和快速开关能力使其在市场上具有较强的竞争力。
    推荐使用
    综上所述,我们强烈推荐使用VBsemi公司的Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET,它将为您的应用提供卓越的性能和可靠的保障。

UPA1856GR-9JG-E1-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,40mΩ@4.5V
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 5.2A
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TSSOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1856GR-9JG-E1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1856GR-9JG-E1-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA1856GR-9JG-E1-VB UPA1856GR-9JG-E1-VB数据手册

UPA1856GR-9JG-E1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.1395
3000+ ¥ 3.9595
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