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K2248-01L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: K2248-01L-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2248-01L-VB

K2248-01L-VB概述

    # N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款采用TrenchFET®技术的高性能电源MOSFET。它适用于多种应用,如OR-ing电路、服务器和直流/直流转换。该器件完全符合RoHS指令2011/65/EU,确保其环保且具有较高的可靠性。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 30 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏极电流(TJ = 175 °C) | ID | 8 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 200 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | 39 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 94.8 | mJ |
    | 持续源漏二极管电流 | IS | 50 | A |
    | 最大功耗 | PD | 100 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55到175 | °C |
    额定值和性能参数
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | VDS | VGS = 0 V, ID = 250 µA | 30 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS = 10 V, ID = 21.8 A | 0.007 | Ω |
    | 漏极电流 | ID | VDS ≥ 5 V, VGS = 10 V | 90 | A |
    | 输入电容 | Ciss | VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | 2201 | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 525 | pF |
    | 逆向转移电容 | Crss | - | 370 | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 21.8 A | 35 | nC |

    产品特点和优势


    1. 高效率:低导通电阻(RDS(on))使得功率损耗减小,提高了系统的整体效率。
    2. 高可靠性:100% Rg和UIS测试保证了产品的可靠性和稳定性。
    3. 广泛适用性:适用于各种应用,包括服务器和DC/DC转换。
    4. 环保设计:符合RoHS标准,满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器电源转换:利用MOSFET高效转换电源,减少能耗。
    - 直流/直流转换:用于汽车电子系统中,实现高效的电压转换。
    使用建议
    - 在选择MOSFET时,需注意其散热设计,避免过热导致损坏。
    - 在高温环境下使用时,应注意其最大允许温度范围。
    - 确保驱动信号正确,避免栅极过压。

    兼容性和支持


    该MOSFET与常见的服务器主板和其他电子设备兼容。供应商提供全面的技术支持,包括产品手册和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    问题一:如何降低功耗?
    解决方案:优化电路设计,选择合适的工作电压和电流。增加散热措施,如使用散热片或散热风扇。
    问题二:栅极电压过高怎么办?
    解决方案:检查电路设计,确保驱动信号符合MOSFET的额定值。可以考虑使用限流电阻来保护栅极。

    总结和推荐


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高性能的电源管理器件,具有高效率、高可靠性和广泛的适用性。适用于多种应用场合,如服务器电源管理和直流/直流转换。推荐在需要高效能和可靠性的场合下使用。

K2248-01L-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 70A
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2248-01L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2248-01L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2248-01L-VB K2248-01L-VB数据手册

K2248-01L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
库存: 400000
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型号 价格(含增值税)
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