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K4078B-ZK-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
供应商型号: K4078B-ZK-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4078B-ZK-VB

K4078B-ZK-VB概述

    N-Channel 4-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 4-V (D-S) MOSFET 是一种高性能的TrenchFET®功率MOSFET,具有出色的电气特性和可靠性。该产品主要用于同步整流和电源供应等领域,能够显著提升系统效率并降低功耗。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 4 V
    - 最大漏源击穿电压 \( V{DS}(BR) \): 40 V
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.2 ~ 2.5 V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ±25 V
    - 最大连续漏极电流 \( ID \): 85 A(@ TC = 25°C)

    - 特性参数
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.0050 Ω(@ V{GS} = 10 V, ID = 30 A)
    - 转移电导 \( g{fs} \): 180 S(@ V{DS} = 15 V, ID = 30 A)
    - 输入电容 \( C{iss} \): 2380 pF(@ V{DS} = 20 V, V{GS} = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 550 pF
    - 逆向转移电容 \( C{rss} \): 250 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 80 nC(@ V{DS} = 20 V, V{GS} = 10 V, ID = 20 A)
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 20 nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 12 nC
    - 栅阻 \( Rg \): 0.85 Ω(@ f = 1 MHz)
    - 动态特性
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \): 20 ~ 30 ns
    - 上升时间 \( tr \): 11 ~ 17 ns
    - 关闭延迟时间 \( t{d(off)} \): 77 ~ 115 ns
    - 下降时间 \( tf \): 10 ~ 15 ns

    产品特点和优势


    - 高可靠性和稳定性:100% Rg 和 UIS 测试确保产品可靠性。
    - 低导通电阻:在 V{GS} = 10 V, ID = 30 A 条件下,R{DS(on)} 仅为 0.0050 Ω,降低了功耗并提高了效率。
    - 快速开关特性:优秀的动态特性保证了高速开关性能,适用于高频率应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 同步整流:适用于各种高效能电源设计。
    - 电源供应:适合各类电源管理设备,提高整体系统效率。
    - 使用建议:
    - 散热设计:由于最大功耗为 312 W(@ TC = 25°C),良好的散热设计是必要的,可以使用铝制散热片或热管来增强散热效果。
    - 驱动电路:为了减少电磁干扰,可以使用缓冲电路来优化开关波形。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品采用 TO-252 封装,易于安装在 PCB 上,并且与标准表面贴装工艺兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和在线支持,包括样品申请和技术咨询,以帮助客户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:在高温度环境下,MOSFET 的导通电阻增加。
    - 解决办法:可以通过改善散热条件来降低结温,例如增加散热片或使用散热膏。

    - 问题二:启动时电流峰值过高导致损坏。
    - 解决办法:在驱动电路中加入限流电阻或软启动电路,以平滑启动过程。

    总结和推荐


    N-Channel 4-V (D-S) MOSFET 在同步整流和电源供应应用中表现出色,其低导通电阻、高可靠性和快速开关特性使其成为高性能电源设计的理想选择。建议在需要高效率和稳定性的应用场景中使用该产品。

K4078B-ZK-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 85A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,5mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.85V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K4078B-ZK-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4078B-ZK-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4078B-ZK-VB K4078B-ZK-VB数据手册

K4078B-ZK-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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型号 价格(含增值税)
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