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K3283-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: K3283-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3283-VB

K3283-VB概述

    # N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    产品类型
    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的电子元器件,主要用于电力管理和控制。
    主要功能
    - 用于电源管理电路中的开关和调节。
    - 广泛应用于服务器、直流到直流转换等领域。
    应用领域
    - 电源系统中的OR-ing功能。
    - 数据中心和服务器的电源管理。
    - 用于各种直流到直流的转换器设计。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):30 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 持续漏极电流(TJ = 175 °C):
    - TC = 25 °C:8 A
    - TC = 70 °C:1 A
    - 脉冲漏极电流(IMD):200 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):94.8 mJ
    - 持续源漏二极管电流(IS):50 A
    - 最大功率耗散(PD):100 W(TC = 25 °C),75 W(TC = 70 °C)
    - 工作结温和存储温度范围:-55 至 175 °C
    额定规格
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):30 V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.007 Ω(VGS = 10 V,ID = 21.8 A)
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):1 μA
    - 转移电导(gfs):160 S
    - 动态参数
    - 输入电容(CISS):220 pF
    - 输出电容(COSS):525 pF
    - 反向传输电容(CRSS):370 pF
    - 总栅电荷(Qg):35 nC(VDS = 15 V,VGS = 10 V,ID = 21.8 A)

    产品特点和优势


    独特功能
    - 使用先进的TrenchFET® Power MOSFET 技术,具有低导通电阻和高电流能力。
    - 100% 阻抗和UIS测试,确保产品质量。
    - 符合RoHS指令2011/65/EU,环保安全。
    市场竞争力
    - 适用于高可靠性要求的应用场合,如数据中心、服务器等。
    - 具有良好的热稳定性,可在较宽的工作温度范围内稳定工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器电源管理系统中的OR-ing应用。
    - 直流到直流转换器的设计中。
    使用建议
    - 在使用时注意确保散热良好,特别是在高负载情况下。
    - 在设计电路时考虑栅极电阻(Rg)的选择,以确保快速开关速度和低损耗。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 适用于标准的TO-252封装,便于安装和替换。
    支持
    - 厂商提供详尽的技术文档和支持服务,可通过官方服务热线获得帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题与解决方法
    1. 问题:高温下性能下降
    - 解决方案:确保良好的散热措施,如使用散热片或风扇。

    2. 问题:高脉冲电流导致损坏
    - 解决方案:使用合适的保护电路,如保险丝或TVS二极管,以限制电流冲击。

    3. 问题:电源不稳定导致异常
    - 解决方案:使用稳压电源,并在输入端加入滤波电容以平滑输入电压。

    总结和推荐


    综合评估
    - N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高性能的MOSFET,适用于需要高可靠性和良好热稳定性的应用场合。
    - 其低导通电阻和高效的开关性能使其成为电源管理和控制的理想选择。
    推荐使用
    - 强烈推荐用于高可靠性要求的服务器电源管理系统和其他类似的直流到直流转换器设计中。

K3283-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 70A
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3283-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3283-VB数据手册

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K3283-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
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500+ ¥ 1.2101
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