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UTT75N75L-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
供应商型号: UTT75N75L-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT75N75L-TA3-T-VB

UTT75N75L-TA3-T-VB概述

    # UTT75N75L-TA3-T N-Channel 80V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UTT75N75L-TA3-T 是一款由台湾VBsemi公司生产的N-Channel 80V(D-S)MOSFET。该产品采用了TrenchFET® Power MOSFET技术,具备高性能、高可靠性的特点,适用于多种电力转换应用场合。主要功能包括:
    - 开关功能:可用于初级侧开关电路。
    - 同步整流:提升电源效率。
    - DC/AC逆变器:广泛应用于工业控制和家用电器中。
    - LED背光:确保LED灯的稳定电流供给。

    技术参数


    UTT75N75L-TA3-T 的关键技术参数如下:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 80 V |
    | 门源电压 | VGS | ±20 V |
    | 连续漏极电流 | ID 28.6b,c | 100 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 350 | A |
    | 持续源-漏极二极管电流 | IS 4.5b,c | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS 30 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS 45 | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD 180 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |

    产品特点和优势


    UTT75N75L-TA3-T 具有以下显著特点:
    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻和高开关速度。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保器件的质量和可靠性。
    - 出色的热阻抗:RthJA=15°C/W (≤10秒),确保长期稳定运行。
    - 良好的开关特性:关断延迟时间短,关断速度快,适合高频应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. DC/AC逆变器:在工业控制中,用于将直流电转换为交流电。
    2. LED背光:在消费电子产品中,用于控制LED的电流和亮度。
    使用建议
    1. 散热管理:确保在高功率应用中良好散热,避免过热导致损坏。
    2. 适当门极驱动:使用合适的门极电阻以减少开关损耗。
    3. 负载匹配:根据实际应用需求选择合适的负载电阻,以保证性能。

    兼容性和支持


    - 封装:标准 TO-220AB 封装,易于安装和焊接。
    - 制造商支持:VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、技术支持和维修服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 确保适当的散热措施,如增加散热片。 |
    | 开关损耗过大 | 优化门极电阻,降低开关频率。 |
    | 漏电流较大 | 确保正确的门源电压,检查是否存在外部干扰。 |

    总结和推荐


    UTT75N75L-TA3-T 是一款高性能的N-Channel MOSFET,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。适用于多种电力转换应用,包括初级侧开关、同步整流、DC/AC逆变器和LED背光等领域。由于其优异的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐在相关项目中使用这款产品。

UTT75N75L-TA3-T-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 100A
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UTT75N75L-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT75N75L-TA3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT75N75L-TA3-T-VB UTT75N75L-TA3-T-VB数据手册

UTT75N75L-TA3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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