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K2382-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,20A,RDS(ON),90mΩ@10V,100mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F\n由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流容量,可用于开关电源、逆变器和DC/DC转换器等电源模块,实现稳定高效的电能转换。
供应商型号: K2382-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2382-VB

K2382-VB概述

    K2382-VB N-Channel 200V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K2382-VB 是一款 N 沟道 200V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电力转换和控制电路中。该产品符合无卤素标准(IEC 61249-2-21 定义),表面贴装和低轮廓穿孔封装使其具有广泛的应用前景。此外,它还具备快速开关、动态 dV/dt 等特点,可在高温环境下(150°C)稳定工作,并完全经过雪崩测试。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 200 V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 连续漏极电流 | ID | 20 A |
    | 脉冲漏极电流a,b,e | IDM | 72 A |
    | 单脉冲雪崩能量b | EAS | 580 mJ |
    | 雪崩电流a | IAR | 20 A |
    | 重复雪崩能量a | EAR | 13 mJ |
    | 功耗 | PD | 42 W |
    | 操作结温范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |
    | 极限瞬态热阻抗 | ZthJC 1.0 °C/W |
    | 动态输入电容 | Ciss 1300 pF |
    | 动态输出电容 | Coss 430 pF |
    | 反向传输电容 | Crss 130 pF |

    3. 产品特点和优势


    K2382-VB N-Channel MOSFET 的主要特点如下:
    - 高可靠性:符合无卤素标准(IEC 61249-2-21),并通过 RoHS 指令 2002/95/EC 认证。
    - 低功耗:极低的导通电阻(RDS(on)),在 VGS=10V 时仅为 0.058Ω。
    - 快速开关:具备高动态 dV/dt 率,适合高频应用。
    - 耐高温:能够在 150°C 下稳定运行。
    - 安全性:经过雪崩测试,保证了在极端条件下的可靠工作。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    K2382-VB 可用于直流电机驱动、电源转换器、电池管理系统等领域。例如,在电池管理系统中,它可以作为高效的开关元件来调节充电和放电过程中的电流。
    使用建议:
    - 电路设计:确保电路设计能够处理峰值电流和高 dV/dt 值。
    - 散热管理:在高功率应用中,必须采取有效的散热措施以避免过热。
    - 测试条件:参考图 11 和图 12 的测试条件,优化脉冲宽度和占空比设置。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:K2382-VB 支持多种封装形式,如 TO-220 FULLPAK,适用于不同类型的 PCB 设计。
    - 支持:厂商提供详尽的技术文档和支持服务,包括数据表、应用指南和技术咨询。若有问题,可联系服务热线 400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏极电流过高 | 检查负载是否超载,调整栅极驱动信号 |
    | 导通电阻异常增大 | 检查温度是否过高,适当降低栅极电压 |
    | 脉冲宽度限制 | 减少占空比,增加脉冲间隔 |

    7. 总结和推荐


    K2382-VB N-Channel 200V MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,特别适用于需要高耐温性和快速开关速度的应用场景。其紧凑的设计和丰富的功能使其在市场上具有较高的竞争力。因此,强烈推荐在需要高性能 MOSFET 的电路中使用 K2382-VB。
    本文档所列信息如有变更,恕不另行通知。更多详细信息和最新的技术支持,请访问官方网站 www.VBsemi.com。

K2382-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@10V,100mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2382-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2382-VB数据手册

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K2382-VB封装设计

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