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KF8N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: KF8N60F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF8N60F-VB

KF8N60F-VB概述

    KF8N60F Power MOSFET 技术手册



    产品简介




    基本介绍

    KF8N60F 是一款高性能的 N-Channel Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低导通电阻(RDS(on))和超低栅极电荷(Qg)。它主要用于服务器、电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)等领域。此外,KF8N60F 在高强光照明系统(如高压钠灯)和荧光灯镇流器等工业领域也有广泛应用。

    应用领域

    - 服务器和电信电源:为服务器、电信设备提供稳定可靠的电源供应。
    - 开关模式电源(SMPS):适用于各种类型的开关电源,提高能效。
    - 功率因数校正电源(PFC):用于改善电网质量,减少能源浪费。
    - 照明:
    - 高强度放电(HID)照明系统
    - 荧光灯照明系统
    - 工业设备:在各种工业应用中作为关键的功率控制元件。


    技术参数




    静态参数

    - 最大漏源电压 (VDS):650 V
    - 最大栅源电压 (VGS):±30 V
    - 漏源电流 (ID):最大值为100 A
    - 最大零栅源电压漏极电流 (IDSS):最大值为1 μA
    - 导通电阻 (RDS(on)):在10 V栅压下的典型值为0.1 Ω
    - 有效输出电容 (Co(er)):520 V时典型值为1 nF

    动态参数

    - 输入电容 (Ciss):最大值为100 pF
    - 输出电容 (Coss):最大值为350 pF
    - 反向传输电容 (Crss):最大值为10 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):在10 V栅压下的典型值为24 nC
    - 开关时间 (td(on), td(off), tr, tf):最大值分别为10 ns, 10 ns, 10 ns 和 10 ns

    其他参数

    - 绝对最大额定值:
    - 瞬态浪涌电流 (ISM):最大值为3.5 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):最大值为87 mJ
    - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 接触焊接温度:最高300°C


    产品特点和优势




    KF8N60F 的设计充分考虑了现代电力系统的高性能要求。其独特的特点如下:

    - 低导通电阻:显著降低了导通损耗,提升了整体能效。
    - 超低栅极电荷:有效缩短了开关时间,进一步减少了开关损耗。
    - 低输入电容:降低了驱动电路的要求,简化了设计。
    - 反向恢复特性良好:具备出色的反向恢复能力,保证了可靠性和稳定性。

    这些特点使得KF8N60F在各类工业应用中表现出色,具有较高的市场竞争力。


    应用案例和使用建议




    实际应用案例

    - 服务器电源系统:KF8N60F 在服务器电源系统中的应用表明其能够承受高电流和电压波动,确保系统稳定运行。
    - 高强光照明系统:在高强度放电照明系统中,KF8N60F 的优异耐高温性能和高可靠性保证了照明系统的高效运行。

    使用建议

    - 散热管理:由于KF8N60F的工作电流较大,需要良好的散热措施,例如增加散热片或采用水冷方式。
    - 信号隔离:在实际应用中应注意信号线与电源线的隔离,避免电磁干扰。
    - 测试与验证:在首次使用前应对产品的性能进行详细测试,以确保其符合具体应用的需求。


    兼容性和支持




    KF8N60F 可与其他标准电气元件兼容,如开关电源、稳压器等。厂商提供详尽的技术文档和支持服务,包括安装指南、使用说明和技术支持热线。对于复杂的应用场景,客户可联系技术支持团队获取专业帮助。


    常见问题与解决方案




    常见问题

    1. Q:在高温环境下工作时,如何保证KF8N60F的性能?
    - A:建议使用散热片或水冷方式加强散热效果,同时选择合适的环境温度来操作。

    2. Q:如果发现栅极泄漏电流过大怎么办?
    - A:检查连接线是否有损坏,重新焊接可能存在问题的焊点;若仍存在故障,需更换器件。

    3. Q:设备突然停止工作该怎么办?
    - A:先排查负载是否异常,再确认供电系统是否有断路或短路现象;如未能解决问题,联系技术支持人员协助处理。


    总结和推荐




    KF8N60F Power MOSFET以其出色的性能参数、广泛的应用范围和强大的支持体系,在电力电子设备中展现出了卓越的表现。特别适合于高效率、高可靠性的应用场合。因此,强烈推荐用户选用KF8N60F作为核心元器件,以提升系统整体性能。

    服务热线:400-655-8788
    官网网址:www.VBsemi.com

KF8N60F-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 10A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KF8N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF8N60F-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KF8N60F-VB KF8N60F-VB数据手册

KF8N60F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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