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K2440-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: K2440-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2440-VB

K2440-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本产品是一款N沟道30V(D-S)MOSFET,采用了先进的TrenchFET®功率MOSFET技术。它特别优化用于高边同步整流操作,并通过100% Rg和UIS测试,确保产品质量。这款MOSFET广泛应用于笔记本电脑CPU核心的高边开关。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 漏极连续电流(TJ = 150°C):13A(TC = 25°C),9A(TC = 70°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):45A
    - 源漏二极管连续电流(IS):3.7A(TC = 25°C),2.0A(TA = 25°C)
    - 单脉冲雪崩电流(IAS):20A
    - 雪崩能量(EAS):21mJ
    - 最大功率耗散(PD):4.1W(TC = 25°C),2.5W(TC = 70°C)
    - 热阻抗参数
    - 最大结到环境热阻(RthJA):39°C/W(最大值),55°C/W(典型值)
    - 最大结到脚热阻(RthJF):25°C/W(最大值),29°C/W(典型值)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):30V(VGS = 0V,ID = 250μA)
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.0V~3.0V(VDS = VGS,ID = 250μA)
    - 栅源泄漏电流(IGSS):±100nA(VDS = 0V,VGS = ±20V)
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):800pF(VDS = 15V,VGS = 0V,f = 1MHz)
    - 输出电容(Coss):165pF
    - 逆向转移电容(Crss):73pF
    - 总栅极电荷(Qg):15nC~23nC(VDS = 15V,VGS = 10V,ID = 10A)

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素设计:环保材料确保安全可靠。
    - 优化的高边同步整流操作:适用于高性能电源管理。
    - 100% Rg和UIS测试:确保每颗产品均符合质量标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:该MOSFET可用于笔记本电脑CPU核心的高边开关,提供高效稳定的电源管理。
    - 使用建议:在设计电路时,应充分考虑散热设计,确保结温在安全范围内。对于高功率应用,建议使用外部散热装置以提高可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与各种标准SO-8封装的引脚兼容,方便集成。
    - 支持:厂商提供详细的用户手册和技术支持,以确保用户能够正确安装和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何判断MOSFET是否过热?
    - 解决办法:通过测量外壳温度并对照热阻参数计算结温,避免超过150°C的工作极限。

    - 问题:如何优化电路效率?
    - 解决办法:选择合适的栅极电阻和驱动电压,确保MOSFET在开关状态下的快速转换,减少功耗。

    7. 总结和推荐


    这款N-Channel 30-V MOSFET凭借其低导通电阻(0.008Ω至0.011Ω)和高效的开关性能,在电源管理和同步整流方面表现出色。其无卤素设计和全面的技术支持使其成为各类电源管理应用的理想选择。推荐用于需要高效能和稳定性的高性能电源管理系统中。

K2440-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 15V
Id-连续漏极电流 11A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2440-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2440-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2440-VB K2440-VB数据手册

K2440-VB封装设计

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