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N3024L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: N3024L-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) N3024L-VB

N3024L-VB概述

    # N3024L N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    基本描述
    N3024L 是一款高性能的 N 沟道 30V(D-S)功率 MOSFET,由 VBsemi 生产。采用先进的 TrenchFET® 技术制造,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电力管理和信号控制应用。
    主要功能
    - 低导通电阻:在 VGS = 10V 时,RDS(on) 仅为 0.007Ω;在 VGS = 4.5V 时,RDS(on) 为 0.009Ω。
    - 高电流能力:最大连续漏极电流 ID 达到 90A。
    - 快速开关:具有优秀的动态性能,适合高频开关应用。
    应用领域
    - OR-ing 应用
    - 服务器电源管理
    - DC/DC 转换器

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 30 | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.5 | 2.0 | - | V |
    | 导通状态漏源电阻 | RDS(on) | - | 0.007 | - | Ω |
    | 栅源电荷 | Qg | 25 | 35 | - | nC |
    | 最大栅极电阻 | Rg | 1.4 | 2.1 | - | Ω |
    | 热阻抗(结-壳) | RthJC | 0.5 | 0.6 | - | °C/W |
    工作条件:
    - 最大工作温度范围:-55°C 至 175°C。
    - 最大结温:175°C。

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    - TrenchFET® 技术:提供更高的效率和更低的导通损耗。
    - 罗氏合规性:完全符合 RoHS 指令 2011/65/EU。
    - 短路保护:支持 UI 测试和 Rg 测试,确保可靠运行。
    市场竞争力
    N3024L 凭借其优异的性能指标,在 OR-ing 应用和服务器电源管理中表现出色,尤其是在高效率需求场景中极具市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器电源:作为 OR-ing 电路的核心组件,提供高效稳定的电源切换。
    - DC/DC 转换器:在高频开关电源中表现优异,降低能耗。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,需注意散热设计,避免因过热导致性能下降。
    - 配合合适的栅极驱动器使用,以充分发挥其快速开关性能。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    N3024L 可与常见的 PCB 设计工具和开发平台兼容,适合主流电子设计流程。
    支持和服务
    VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,用户可通过服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致性能下降 | 加强散热措施,如增加散热片或风扇。 |
    | 开关频率不足 | 调整驱动电路参数,优化开关速度。 |
    | 高频干扰问题 | 增加滤波电容,减少电磁干扰。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    N3024L 是一款高效能的 N 沟道 MOSFET,具有低导通电阻、高电流能力和快速开关速度,特别适合高可靠性要求的应用场景。
    推荐结论
    强烈推荐 N3024L 用于需要高效能和稳定性的电力管理系统中,特别是在 OR-ing 和服务器电源领域。其卓越的性能和广泛的适用性使其成为行业内的重要选择。

N3024L-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 70A
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

N3024L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

N3024L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 N3024L-VB N3024L-VB数据手册

N3024L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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